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Calculadora Capacitancia de unión del fotodiodo

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✖La permitividad de un semiconductor se refiere a su capacidad para permitir un campo eléctrico. Es una propiedad del material que caracteriza cómo responde el semiconductor a un campo eléctrico.ⓘ Permitividad del semiconductor [ε_r]			+10% -10%
✖El área de unión es el área de la sección transversal de la región de agotamiento, generalmente perpendicular a la dirección del flujo de corriente.ⓘ Área de unión [A_j]			+10% -10%
✖El ancho de la capa de agotamiento es la distancia a través de la región cerca de la unión pn donde los portadores de carga móviles (electrones y huecos) se han agotado o eliminado significativamente.ⓘ Ancho de la capa de agotamiento [w]			+10% -10%

✖La capacitancia de unión es la capacitancia asociada con la región de agotamiento de un dispositivo semiconductor, como un diodo o un transistor.ⓘ Capacitancia de unión del fotodiodo [C_j]

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Capacitancia de unión del fotodiodo Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Capacitancia de unión = Permitividad del semiconductor*Área de unión/Ancho de la capa de agotamiento
C_j = ε_r*A_j/w
Esta fórmula usa 4 Variables

Variables utilizadas

Capacitancia de unión - (Medido en Faradio) - La capacitancia de unión es la capacitancia asociada con la región de agotamiento de un dispositivo semiconductor, como un diodo o un transistor.
Permitividad del semiconductor - (Medido en farad por metro) - La permitividad de un semiconductor se refiere a su capacidad para permitir un campo eléctrico. Es una propiedad del material que caracteriza cómo responde el semiconductor a un campo eléctrico.
Área de unión - (Medido en Metro cuadrado) - El área de unión es el área de la sección transversal de la región de agotamiento, generalmente perpendicular a la dirección del flujo de corriente.
Ancho de la capa de agotamiento - (Medido en Metro) - El ancho de la capa de agotamiento es la distancia a través de la región cerca de la unión pn donde los portadores de carga móviles (electrones y huecos) se han agotado o eliminado significativamente.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Permitividad del semiconductor: 11.7 farad por metro --> 11.7 farad por metro No se requiere conversión
Área de unión: 8.6 Metro cuadrado --> 8.6 Metro cuadrado No se requiere conversión
Ancho de la capa de agotamiento: 9 Metro --> 9 Metro No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

C_j = ε_r*A_j/w --> 11.7*8.6/9

Evaluar ... ...

C_j = 11.18

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

11.18 Faradio --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

11.18 Faradio <-- Capacitancia de unión

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Gowthaman N

Instituto de Tecnología de Vellore (Universidad VIT), Chennai

¡Gowthaman N ha creado esta calculadora y 25+ más calculadoras!

Verificada por parminder singh

Universidad de Chandigarh (CU), Punjab

¡parminder singh ha verificado esta calculadora y 500+ más calculadoras!

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Potencia equivalente de ruido

LaTeX Vamos Potencia equivalente de ruido = [hP]*[c]*sqrt(2*Carga de partículas*Corriente oscura)/(Eficiencia cuántica*Carga de partículas*Longitud de onda de la luz)

Capacitancia de unión del fotodiodo

LaTeX Vamos Capacitancia de unión = Permitividad del semiconductor*Área de unión/Ancho de la capa de agotamiento

Ruido de corriente oscura

LaTeX Vamos Ruido de corriente oscura = 2*Ancho de banda posterior a la detección*[Charge-e]*Corriente oscura

Resistencia de carga

LaTeX Vamos Resistencia de carga = 1/(2*pi*Ancho de banda posterior a la detección*Capacidad)

Capacitancia de unión del fotodiodo Fórmula

LaTeX Vamos

Capacitancia de unión = Permitividad del semiconductor*Área de unión/Ancho de la capa de agotamiento
C_j = ε_r*A_j/w

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