Calculadora Carga de capa de inversión en condición de pellizco en PMOS

Carga de capa de inversión = -Capacitancia de óxido*(Voltaje entre puerta y fuente-Voltaje de umbral-Voltaje entre drenaje y fuente)
Q_p = -C_ox*(V_GS-V_T-V_DS)
Esta fórmula usa 5 Variables
Carga de capa de inversión - (Medido en culombio por metro cuadrado) - La carga de la capa de inversión se refiere a la acumulación de portadores de carga en la interfaz entre el semiconductor y la capa de óxido aislante cuando se aplica un voltaje al electrodo de puerta.
Capacitancia de óxido - (Medido en Faradio) - La capacitancia de óxido es un parámetro importante que afecta el rendimiento de los dispositivos MOS, como la velocidad y el consumo de energía de los circuitos integrados.
Voltaje entre puerta y fuente - (Medido en Voltio) - El voltaje entre la puerta y la fuente de un transistor de efecto de campo (FET) se conoce como voltaje puerta-fuente (VGS). Es un parámetro importante que afecta el funcionamiento del FET.
Voltaje de umbral - (Medido en Voltio) - El voltaje de umbral, también conocido como voltaje de umbral de puerta o simplemente Vth, es un parámetro crítico en el funcionamiento de los transistores de efecto de campo, que son componentes fundamentales en la electrónica moderna.
Voltaje entre drenaje y fuente - (Medido en Voltio) - El voltaje entre el drenaje y la fuente es un parámetro clave en el funcionamiento de un transistor de efecto de campo (FET) y, a menudo, se lo denomina "voltaje entre el drenaje y la fuente" o VDS.

(Cálculo completado en 00.020 segundos)