Calculadora Concentración intrínseca

Concentración de portador intrínseco = sqrt(Densidad Efectiva en Banda de Valencia*Densidad Efectiva en Banda de Conducción)*e^((-Dependencia de la temperatura de la brecha de banda de energía)/(2*[BoltZ]*Temperatura))
n_i = sqrt(N_c*N_v)*e^((-E_g)/(2*[BoltZ]*T))
Esta fórmula usa 2 Constantes, 1 Funciones, 5 Variables
[BoltZ] - constante de Boltzmann Valor tomado como 1.38064852E-23
e - la constante de napier Valor tomado como 2.71828182845904523536028747135266249sqrt - Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)Concentración de portador intrínseco - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de portador intrínseco es el número de electrones en la banda de conducción o el número de huecos en la banda de valencia en el material intrínseco.
Densidad Efectiva en Banda de Valencia - (Medido en 1 por metro cúbico) - La densidad efectiva en la banda de valencia se define como la densidad de concentración de electrones en la banda de valencia de un elemento.
Densidad Efectiva en Banda de Conducción - (Medido en 1 por metro cúbico) - La densidad efectiva en la banda de conducción se define como la densidad de concentración de electrones en la banda de conducción de un elemento.
Dependencia de la temperatura de la brecha de banda de energía - (Medido en Joule) - La dependencia de la temperatura de la banda prohibida de energía describe la influencia de los fotones en la energía de la banda prohibida.
Temperatura - (Medido en Kelvin) - La temperatura es el grado o la intensidad del calor presente en una sustancia u objeto.

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