Concentración de portador intrínseco en condiciones de no equilibrio Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Concentración de portador intrínseco = sqrt(Concentración de portadores mayoritarios*Concentración de portadores minoritarios)
ni = sqrt(n0*p0)
Esta fórmula usa 1 Funciones, 3 Variables
Funciones utilizadas
sqrt - Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)
Variables utilizadas
Concentración de portador intrínseco - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de portador intrínseco es el número de electrones en la banda de conducción o el número de huecos en la banda de valencia en el material intrínseco.
Concentración de portadores mayoritarios - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de portadores mayoritarios es el número de portadores en la banda de conducción sin polarización aplicada externamente.
Concentración de portadores minoritarios - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de portadores minoritarios es el número de portadores en la banda de valencia sin sesgo aplicado externamente.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Concentración de portadores mayoritarios: 110000000 1 por metro cúbico --> 110000000 1 por metro cúbico No se requiere conversión
Concentración de portadores minoritarios: 91000000 1 por metro cúbico --> 91000000 1 por metro cúbico No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
ni = sqrt(n0*p0) --> sqrt(110000000*91000000)
Evaluar ... ...
ni = 100049987.506246
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
100049987.506246 1 por metro cúbico --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
100049987.506246 1E+8 1 por metro cúbico <-- Concentración de portador intrínseco
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

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Creado por Akshada Kulkarni
Instituto Nacional de Tecnología de la Información (NIIT), Neemrana
¡Akshada Kulkarni ha creado esta calculadora y 500+ más calculadoras!
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Verificada por Equipo Softusvista
Oficina Softusvista (Pune), India
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Características del portador de carga Calculadoras

Densidad de corriente debido a los electrones
​ LaTeX ​ Vamos Densidad de corriente de electrones = [Charge-e]*Concentración de electrones*Movilidad de electrones*Intensidad del campo eléctrico
Densidad de corriente debido a agujeros
​ LaTeX ​ Vamos Agujeros Densidad de corriente = [Charge-e]*Concentración de agujeros*Movilidad de Agujeros*Intensidad del campo eléctrico
Constante de difusión de electrones
​ LaTeX ​ Vamos Constante de difusión de electrones = Movilidad de electrones*(([BoltZ]*Temperatura)/[Charge-e])
Longitud de difusión del agujero
​ LaTeX ​ Vamos Longitud de difusión de agujeros = sqrt(Constante de difusión de agujeros*Vida útil del portador de orificios)

Concentración de portador intrínseco en condiciones de no equilibrio Fórmula

​LaTeX ​Vamos
Concentración de portador intrínseco = sqrt(Concentración de portadores mayoritarios*Concentración de portadores minoritarios)
ni = sqrt(n0*p0)

¿Definir la concentración de portador de equilibrio?

El número de portadores en la banda de conducción y de valencia sin polarización aplicada externamente se denomina concentración de portadores de equilibrio. Para los portadores mayoritarios, la concentración de portadores de equilibrio es igual a la concentración de portadores intrínseca más el número de portadores libres añadidos dopando el semiconductor. En la mayoría de las condiciones, el dopaje del semiconductor es varios órdenes de magnitud mayor que la concentración de portadores intrínsecos, de modo que el número de portadores mayoritarios es aproximadamente igual al dopaje. En equilibrio, el producto de la concentración de portadores mayoritarios y minoritarios es una constante.

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