Calculadora Concentración de portador intrínseco

Concentración de portador intrínseco = sqrt(Densidad Efectiva de Estado en Banda de Valencia*Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción)*exp(-Brecha de energía/(2*[BoltZ]*Temperatura))
n_i = sqrt(N_v*N_c)*exp(-E_g/(2*[BoltZ]*T))
Esta fórmula usa 1 Constantes, 2 Funciones, 5 Variables
[BoltZ] - constante de Boltzmann Valor tomado como 1.38064852E-23exp - En una función exponencial, el valor de la función cambia en un factor constante por cada cambio de unidad en la variable independiente., exp(Number)
sqrt - Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)Concentración de portador intrínseco - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de portadores intrínsecos se utiliza para describir la concentración de portadores de carga (electrones y huecos) en un material semiconductor intrínseco o no dopado en equilibrio térmico.
Densidad Efectiva de Estado en Banda de Valencia - (Medido en 1 por metro cúbico) - La densidad de estado efectiva en la banda de valencia se define como la banda de orbitales de electrones de la que los electrones pueden saltar y pasar a la banda de conducción cuando se excitan.
Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción - (Medido en 1 por metro cúbico) - La Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción se define como el número de mínimos de energía equivalente en la banda de conducción.
Brecha de energía - (Medido en Joule) - Brecha de energía en la física del estado sólido, una brecha de energía es un rango de energía en un sólido donde no existen estados de electrones.
Temperatura - (Medido en Kelvin) - La temperatura es el grado o intensidad de calor presente en una sustancia u objeto.

(Cálculo completado en 00.004 segundos)