Calculadora Corriente de drenaje instantánea usando voltaje entre el drenaje y la fuente

✖El parámetro de transconductancia es el producto del parámetro de transconductancia del proceso y la relación de aspecto del transistor (W/L).ⓘ Parámetro de transconductancia [K_n]			+10% -10%
✖El voltaje a través del óxido se debe a la carga en la interfaz óxido-semiconductor y el tercer término se debe a la densidad de carga en el óxido.ⓘ Voltaje a través del óxido [V_ox]			+10% -10%
✖El voltaje umbral del transistor es la puerta mínima al voltaje de fuente que se necesita para crear una ruta conductora entre los terminales de fuente y drenaje.ⓘ Voltaje umbral [V_t]			+10% -10%
✖El voltaje entre la puerta y la fuente es el voltaje que cae a través del terminal puerta-fuente del transistor.ⓘ Voltaje entre puerta y fuente [V_gs]			+10% -10%

✖La corriente de drenaje por debajo del voltaje umbral se define como la corriente subumbral y varía exponencialmente con el voltaje de la puerta a la fuente.ⓘ Corriente de drenaje instantánea usando voltaje entre el drenaje y la fuente [i_d]

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Corriente de drenaje instantánea usando voltaje entre el drenaje y la fuente Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia*(Voltaje a través del óxido-Voltaje umbral)*Voltaje entre puerta y fuente
i_d = K_n*(V_ox-V_t)*V_gs
Esta fórmula usa 5 Variables

Variables utilizadas

Corriente de drenaje - (Medido en Amperio) - La corriente de drenaje por debajo del voltaje umbral se define como la corriente subumbral y varía exponencialmente con el voltaje de la puerta a la fuente.
Parámetro de transconductancia - (Medido en Amperio por voltio cuadrado) - El parámetro de transconductancia es el producto del parámetro de transconductancia del proceso y la relación de aspecto del transistor (W/L).
Voltaje a través del óxido - (Medido en Voltio) - El voltaje a través del óxido se debe a la carga en la interfaz óxido-semiconductor y el tercer término se debe a la densidad de carga en el óxido.
Voltaje umbral - (Medido en Voltio) - El voltaje umbral del transistor es la puerta mínima al voltaje de fuente que se necesita para crear una ruta conductora entre los terminales de fuente y drenaje.
Voltaje entre puerta y fuente - (Medido en Voltio) - El voltaje entre la puerta y la fuente es el voltaje que cae a través del terminal puerta-fuente del transistor.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Parámetro de transconductancia: 2.95 Miliamperios por voltio cuadrado --> 0.00295 Amperio por voltio cuadrado (Verifique la conversión aquí)
Voltaje a través del óxido: 3.775 Voltio --> 3.775 Voltio No se requiere conversión
Voltaje umbral: 2 Voltio --> 2 Voltio No se requiere conversión
Voltaje entre puerta y fuente: 3.34 Voltio --> 3.34 Voltio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

i_d = K_n*(V_ox-V_t)*V_gs --> 0.00295*(3.775-2)*3.34

Evaluar ... ...

i_d = 0.017489075

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.017489075 Amperio -->17.489075 Miliamperio (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

17.489075 ≈ 17.48907 Miliamperio <-- Corriente de drenaje

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Prahalad Singh

Escuela de Ingeniería y Centro de Investigación de Jaipur (JECRC), Jaipur

¡Prahalad Singh ha verificado esta calculadora y 10+ más calculadoras!

< Características del amplificador de transistores Calculadoras

Corriente que fluye a través del canal inducido en el transistor dado voltaje de óxido

LaTeX Vamos Corriente de salida = (Movilidad del electrón*Capacitancia de óxido*(Ancho del canal/Longitud del canal)*(Voltaje a través del óxido-Voltaje umbral))*Voltaje de saturación entre drenaje y fuente

Terminal de drenaje de entrada actual de MOSFET en saturación

LaTeX Vamos Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Parámetro de transconductancia del proceso*(Ancho del canal/Longitud del canal)*(Voltaje efectivo)^2

Voltaje de drenaje instantáneo total

LaTeX Vamos Voltaje total de drenaje instantáneo = Voltaje del componente fundamental-Resistencia al drenaje*Corriente de drenaje

Voltaje de entrada en transistor

LaTeX Vamos Voltaje del componente fundamental = Resistencia al drenaje*Corriente de drenaje-Voltaje total de drenaje instantáneo

< Acciones CV de amplificadores de etapa comunes Calculadoras

Resistencia de entrada del amplificador de emisor común

LaTeX Vamos Resistencia de entrada = (1/Resistencia básica+1/Resistencia básica 2+1/Resistencia de entrada de señal pequeña)^-1

Impedancia de entrada del amplificador de base común

LaTeX Vamos Impedancia de entrada = (1/Resistencia del emisor+1/Resistencia de entrada de señal pequeña)^(-1)

Voltaje fundamental en un amplificador de emisor común

LaTeX Vamos Voltaje del componente fundamental = Resistencia de entrada*Corriente base

Corriente del emisor del amplificador de base común

LaTeX Vamos Corriente del emisor = Voltaje de entrada/Resistencia del emisor

Corriente de drenaje instantánea usando voltaje entre el drenaje y la fuente Fórmula

LaTeX Vamos

Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia*(Voltaje a través del óxido-Voltaje umbral)*Voltaje entre puerta y fuente
i_d = K_n*(V_ox-V_t)*V_gs

¿Qué es MOSFET y su aplicación?

MOSFET se utiliza para cambiar o amplificar señales. La capacidad de cambiar la conductividad con la cantidad de voltaje aplicado se puede utilizar para amplificar o cambiar señales electrónicas. Los MOSFET son ahora incluso más comunes que los BJT (transistores de unión bipolar) en circuitos digitales y analógicos.

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