Calculadora Voltaje de entrada en transistor

✖La resistencia de drenaje es la relación entre el cambio en el voltaje de drenaje a fuente y el cambio correspondiente en la corriente de drenaje para una tensión de puerta a fuente constante.ⓘ Resistencia al drenaje [R_d]			+10% -10%
✖La corriente de drenaje por debajo del voltaje umbral se define como la corriente subumbral y varía exponencialmente con el voltaje de la puerta a la fuente.ⓘ Corriente de drenaje [i_d]			+10% -10%
✖El voltaje de drenaje instantáneo total es el voltaje que cae a través del terminal puerta-fuente del transistor.ⓘ Voltaje total de drenaje instantáneo [V_d]			+10% -10%

✖El voltaje del componente fundamental es el primer armónico del voltaje en el análisis armónico de la onda cuadrada de voltaje en un circuito basado en inversor.ⓘ Voltaje de entrada en transistor [V_fc]

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Voltaje de entrada en transistor Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Voltaje del componente fundamental = Resistencia al drenaje*Corriente de drenaje-Voltaje total de drenaje instantáneo
V_fc = R_d*i_d-V_d
Esta fórmula usa 4 Variables

Variables utilizadas

Voltaje del componente fundamental - (Medido en Voltio) - El voltaje del componente fundamental es el primer armónico del voltaje en el análisis armónico de la onda cuadrada de voltaje en un circuito basado en inversor.
Resistencia al drenaje - (Medido en Ohm) - La resistencia de drenaje es la relación entre el cambio en el voltaje de drenaje a fuente y el cambio correspondiente en la corriente de drenaje para una tensión de puerta a fuente constante.
Corriente de drenaje - (Medido en Amperio) - La corriente de drenaje por debajo del voltaje umbral se define como la corriente subumbral y varía exponencialmente con el voltaje de la puerta a la fuente.
Voltaje total de drenaje instantáneo - (Medido en Voltio) - El voltaje de drenaje instantáneo total es el voltaje que cae a través del terminal puerta-fuente del transistor.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Resistencia al drenaje: 0.36 kilohmios --> 360 Ohm (Verifique la conversión aquí)
Corriente de drenaje: 17.5 Miliamperio --> 0.0175 Amperio (Verifique la conversión aquí)
Voltaje total de drenaje instantáneo: 1.284 Voltio --> 1.284 Voltio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

V_fc = R_d*i_d-V_d --> 360*0.0175-1.284

Evaluar ... ...

V_fc = 5.016

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

5.016 Voltio --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

5.016 Voltio <-- Voltaje del componente fundamental

(Cálculo completado en 00.020 segundos)

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Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Prahalad Singh

Escuela de Ingeniería y Centro de Investigación de Jaipur (JECRC), Jaipur

¡Prahalad Singh ha verificado esta calculadora y 10+ más calculadoras!

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Corriente que fluye a través del canal inducido en el transistor dado voltaje de óxido

LaTeX Vamos Corriente de salida = (Movilidad del electrón*Capacitancia de óxido*(Ancho del canal/Longitud del canal)*(Voltaje a través del óxido-Voltaje umbral))*Voltaje de saturación entre drenaje y fuente

Terminal de drenaje de entrada actual de MOSFET en saturación

LaTeX Vamos Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Parámetro de transconductancia del proceso*(Ancho del canal/Longitud del canal)*(Voltaje efectivo)^2

Voltaje de drenaje instantáneo total

LaTeX Vamos Voltaje total de drenaje instantáneo = Voltaje del componente fundamental-Resistencia al drenaje*Corriente de drenaje

Voltaje de entrada en transistor

LaTeX Vamos Voltaje del componente fundamental = Resistencia al drenaje*Corriente de drenaje-Voltaje total de drenaje instantáneo

Voltaje de entrada en transistor Fórmula

LaTeX Vamos

Voltaje del componente fundamental = Resistencia al drenaje*Corriente de drenaje-Voltaje total de drenaje instantáneo
V_fc = R_d*i_d-V_d

¿Qué es MOSFET y su aplicación?

MOSFET se utiliza para cambiar o amplificar señales. La capacidad de cambiar la conductividad con la cantidad de voltaje aplicado se puede utilizar para amplificar o cambiar señales electrónicas. Los MOSFET son ahora incluso más comunes que los BJT (transistores de unión bipolar) en circuitos digitales y analógicos.

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