MCD de tres números

Calculadora Impureza con concentración intrínseca

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✖La concentración de electrones está influenciada por varios factores, como la temperatura, las impurezas o dopantes agregados al material semiconductor y los campos eléctricos o magnéticos externos.ⓘ Concentración de electrones [n_e]			+10% -10%
✖La concentración de huecos implica una mayor cantidad de portadores de carga disponibles en el material, lo que afecta su conductividad y varios dispositivos semiconductores.ⓘ Concentración de agujeros [p]			+10% -10%
✖Impureza de temperatura: un índice base que representa la temperatura promedio del aire en diferentes escalas de tiempo.ⓘ Impureza de temperatura [t_o]			+10% -10%

✖La concentración intrínseca es la cantidad de electrones en la banda de conducción o la cantidad de huecos en la banda de valencia en el material intrínseco.ⓘ Impureza con concentración intrínseca [n_i]

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Impureza con concentración intrínseca Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Concentración intrínseca = sqrt((Concentración de electrones*Concentración de agujeros)/Impureza de temperatura)
n_i = sqrt((n_e*p)/t_o)
Esta fórmula usa 1 Funciones, 4 Variables

Funciones utilizadas

sqrt - Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)

Variables utilizadas

Concentración intrínseca - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración intrínseca es la cantidad de electrones en la banda de conducción o la cantidad de huecos en la banda de valencia en el material intrínseco.
Concentración de electrones - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de electrones está influenciada por varios factores, como la temperatura, las impurezas o dopantes agregados al material semiconductor y los campos eléctricos o magnéticos externos.
Concentración de agujeros - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de huecos implica una mayor cantidad de portadores de carga disponibles en el material, lo que afecta su conductividad y varios dispositivos semiconductores.
Impureza de temperatura - (Medido en Kelvin) - Impureza de temperatura: un índice base que representa la temperatura promedio del aire en diferentes escalas de tiempo.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Concentración de electrones: 50.6 1 por centímetro cúbico --> 50600000 1 por metro cúbico (Verifique la conversión aquí)
Concentración de agujeros: 0.69 1 por centímetro cúbico --> 690000 1 por metro cúbico (Verifique la conversión aquí)
Impureza de temperatura: 20 Kelvin --> 20 Kelvin No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

n_i = sqrt((n_e*p)/t_o) --> sqrt((50600000*690000)/20)

Evaluar ... ...

n_i = 1321249.40870375

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

1321249.40870375 1 por metro cúbico -->1.32124940870375 1 por centímetro cúbico (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

1.32124940870375 ≈ 1.321249 1 por centímetro cúbico <-- Concentración intrínseca

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Raúl Gupta

Universidad de Chandigarh (CU), Mohali, Punyab

¡Raúl Gupta ha creado esta calculadora y 25+ más calculadoras!

Verificada por parminder singh

Universidad de Chandigarh (CU), Punjab

¡parminder singh ha verificado esta calculadora y 500+ más calculadoras!

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Conductividad de tipo N

LaTeX Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de equilibrio de tipo N+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*(Concentración intrínseca^2/Concentración de equilibrio de tipo N))

Conductividad óhmica de la impureza

LaTeX Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de electrones+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*Concentración de agujeros)

Impureza con concentración intrínseca

LaTeX Vamos Concentración intrínseca = sqrt((Concentración de electrones*Concentración de agujeros)/Impureza de temperatura)

Voltaje de ruptura del emisor colector

LaTeX Vamos Voltaje de ruptura del emisor del colector = Voltaje de ruptura de la base del colector/(Ganancia actual de BJT)^(1/Número raíz)