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Calculadora Átomos de impureza por unidad de área

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✖La difusión efectiva es un parámetro relacionado con el proceso de difusión de los portadores y está influenciado por las propiedades del material y la geometría de la unión semiconductora.ⓘ Difusión efectiva [D_n]			+10% -10%
✖El área de unión de la base del emisor es una unión PN formada entre el material tipo P fuertemente dopado (emisor) y el material tipo N ligeramente dopado (base) del transistor.ⓘ Área de unión de la base del emisor [A]			+10% -10%
✖Carga característica de una unidad de materia que expresa en qué medida tiene más o menos electrones que protones.ⓘ Cargar [q]			+10% -10%
✖La concentración intrínseca es la cantidad de electrones en la banda de conducción o la cantidad de huecos en la banda de valencia en el material intrínseco.ⓘ Concentración intrínseca [n_i]			+10% -10%
✖La corriente del colector es la corriente que fluye a través del terminal del colector del transistor y es la corriente que el transistor amplifica.ⓘ Colector actual [I_c]			+10% -10%
✖El voltaje del emisor de base es el voltaje entre la base y el emisor cuando está polarizado directamente, con el colector desconectado.ⓘ Emisor de base de voltaje [V_be]			+10% -10%
✖El voltaje térmico son los voltajes creados por la unión de metales diferentes cuando existe una diferencia de temperatura entre estas uniones.ⓘ Voltaje térmico [V_t]			+10% -10%

✖La impureza total define las impurezas que se mezclan en un átomo por unidad de área en una base o la cantidad de impureza agregada a un semiconductor intrínseco varía su nivel de conductividad.ⓘ Átomos de impureza por unidad de área [Q_b]

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Átomos de impureza por unidad de área Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Impureza total = Difusión efectiva*(Área de unión de la base del emisor*((Cargar*Concentración intrínseca^2)/Colector actual)*exp(Emisor de base de voltaje/Voltaje térmico))
Q_b = D_n*(A*((q*n_i^2)/I_c)*exp(V_be/V_t))
Esta fórmula usa 1 Funciones, 8 Variables

Funciones utilizadas

exp - En una función exponencial, el valor de la función cambia en un factor constante por cada cambio de unidad en la variable independiente., exp(Number)

Variables utilizadas

Impureza total - (Medido en Metro cuadrado) - La impureza total define las impurezas que se mezclan en un átomo por unidad de área en una base o la cantidad de impureza agregada a un semiconductor intrínseco varía su nivel de conductividad.
Difusión efectiva - La difusión efectiva es un parámetro relacionado con el proceso de difusión de los portadores y está influenciado por las propiedades del material y la geometría de la unión semiconductora.
Área de unión de la base del emisor - (Medido en Metro cuadrado) - El área de unión de la base del emisor es una unión PN formada entre el material tipo P fuertemente dopado (emisor) y el material tipo N ligeramente dopado (base) del transistor.
Cargar - (Medido en Culombio) - Carga característica de una unidad de materia que expresa en qué medida tiene más o menos electrones que protones.
Concentración intrínseca - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración intrínseca es la cantidad de electrones en la banda de conducción o la cantidad de huecos en la banda de valencia en el material intrínseco.
Colector actual - (Medido en Amperio) - La corriente del colector es la corriente que fluye a través del terminal del colector del transistor y es la corriente que el transistor amplifica.
Emisor de base de voltaje - (Medido en Voltio) - El voltaje del emisor de base es el voltaje entre la base y el emisor cuando está polarizado directamente, con el colector desconectado.
Voltaje térmico - (Medido en Voltio) - El voltaje térmico son los voltajes creados por la unión de metales diferentes cuando existe una diferencia de temperatura entre estas uniones.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Difusión efectiva: 0.5 --> No se requiere conversión
Área de unión de la base del emisor: 1.75 Centímetro cuadrado --> 0.000175 Metro cuadrado (Verifique la conversión aquí)
Cargar: 5 miliculombio --> 0.005 Culombio (Verifique la conversión aquí)
Concentración intrínseca: 1.32 1 por centímetro cúbico --> 1320000 1 por metro cúbico (Verifique la conversión aquí)
Colector actual: 4.92 Amperio --> 4.92 Amperio No se requiere conversión
Emisor de base de voltaje: 3.5 Voltio --> 3.5 Voltio No se requiere conversión
Voltaje térmico: 4.1 Voltio --> 4.1 Voltio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

Q_b = D_n*(A*((q*n_i^2)/I_c)*exp(V_be/V_t)) --> 0.5*(0.000175*((0.005*1320000^2)/4.92)*exp(3.5/4.1))

Evaluar ... ...

Q_b = 363831.258671893

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

363831.258671893 Metro cuadrado -->3638312586.71893 Centímetro cuadrado (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

3638312586.71893 ≈ 3.6E+9 Centímetro cuadrado <-- Impureza total

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Raúl Gupta

Universidad de Chandigarh (CU), Mohali, Punyab

¡Raúl Gupta ha creado esta calculadora y 25+ más calculadoras!

Verificada por Ritwik Tripathi

Instituto de Tecnología de Vellore (VIT Vellore), Vellore

¡Ritwik Tripathi ha verificado esta calculadora y 100+ más calculadoras!

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Conductividad de tipo N

LaTeX Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de equilibrio de tipo N+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*(Concentración intrínseca^2/Concentración de equilibrio de tipo N))

Conductividad óhmica de la impureza

LaTeX Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de electrones+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*Concentración de agujeros)

Impureza con concentración intrínseca

LaTeX Vamos Concentración intrínseca = sqrt((Concentración de electrones*Concentración de agujeros)/Impureza de temperatura)

Voltaje de ruptura del emisor colector

LaTeX Vamos Voltaje de ruptura del emisor del colector = Voltaje de ruptura de la base del colector/(Ganancia actual de BJT)^(1/Número raíz)