Calculadora Voltaje de pasillo

✖La fuerza del campo magnético es una medida de la intensidad de un campo magnético en un área dada de ese campo.ⓘ Intensidad del campo magnético [H]			+10% -10%
✖La corriente eléctrica es la tasa de tiempo del flujo de carga a través de un área de sección transversal.ⓘ Corriente eléctrica [I]			+10% -10%
✖El coeficiente de Hall se define como la relación entre el campo eléctrico inducido y el producto de la densidad de corriente y el campo magnético aplicado.ⓘ coeficiente de pasillo [RH]			+10% -10%
✖El ancho del semiconductor determina el ancho del semiconductor.ⓘ Ancho de Semiconductor [W]			+10% -10%

✖El voltaje de Hall establece que si un metal o un semiconductor transporta una corriente I que se coloca en un campo magnético transversal B, se induce un campo eléctrico en una dirección perpendicular tanto a I como a B.ⓘ Voltaje de pasillo [V_h]

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Voltaje de pasillo Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Voltaje de pasillo = ((Intensidad del campo magnético*Corriente eléctrica)/(coeficiente de pasillo*Ancho de Semiconductor))
V_h = ((H*I)/(RH*W))
Esta fórmula usa 5 Variables

Variables utilizadas

Voltaje de pasillo - (Medido en Voltio) - El voltaje de Hall establece que si un metal o un semiconductor transporta una corriente I que se coloca en un campo magnético transversal B, se induce un campo eléctrico en una dirección perpendicular tanto a I como a B.
Intensidad del campo magnético - (Medido en Amperio por Metro) - La fuerza del campo magnético es una medida de la intensidad de un campo magnético en un área dada de ese campo.
Corriente eléctrica - (Medido en Amperio) - La corriente eléctrica es la tasa de tiempo del flujo de carga a través de un área de sección transversal.
coeficiente de pasillo - El coeficiente de Hall se define como la relación entre el campo eléctrico inducido y el producto de la densidad de corriente y el campo magnético aplicado.
Ancho de Semiconductor - (Medido en Metro) - El ancho del semiconductor determina el ancho del semiconductor.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Intensidad del campo magnético: 0.23 Amperio por Metro --> 0.23 Amperio por Metro No se requiere conversión
Corriente eléctrica: 2.2 Amperio --> 2.2 Amperio No se requiere conversión
coeficiente de pasillo: 6 --> No se requiere conversión
Ancho de Semiconductor: 99 Milímetro --> 0.099 Metro (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

V_h = ((H*I)/(RH*W)) --> ((0.23*2.2)/(6*0.099))

Evaluar ... ...

V_h = 0.851851851851852

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.851851851851852 Voltio --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

0.851851851851852 ≈ 0.851852 Voltio <-- Voltaje de pasillo

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Tejasvini Thakral

Dr. BR Ambedkar Instituto Nacional de Tecnología (NITJ), Bareilly

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Verificada por Rachita C

Facultad de ingeniería de BMS (BMSCE), Banglore

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Sensibilidad de deflexión magnética

LaTeX Vamos Sensibilidad de desviación magnética = (Longitud de las placas deflectoras*Longitud del tubo de rayos catódicos)*sqrt(([Charge-e]/(2*[Mass-e]*Voltaje del ánodo)))

Sensibilidad a la deflexión electrostática

LaTeX Vamos Sensibilidad de deflexión electrostática = (Longitud de las placas deflectoras*Longitud del tubo de rayos catódicos)/(2*Distancia entre placas deflectoras*Voltaje del ánodo)

Radio del electrón en trayectoria circular

LaTeX Vamos Radio de electrones = ([Mass-e]*Velocidad de electrones)/(Intensidad del campo magnético*[Charge-e])

Aceleración de partículas

LaTeX Vamos Aceleración de partículas = ([Charge-e]*Intensidad del campo eléctrico)/[Mass-e]