Puertas en ruta crítica Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Puertas en el camino crítico = Ciclo de trabajo*(Apagado actual*(10^Voltaje base del colector))/(Capacitancia de puerta a canal*[BoltZ]*Voltaje base del colector)
Ng = D*(ioff*(10^Vbc))/(Cg*[BoltZ]*Vbc)
Esta fórmula usa 1 Constantes, 5 Variables
Constantes utilizadas
[BoltZ] - constante de Boltzmann Valor tomado como 1.38064852E-23
Variables utilizadas
Puertas en el camino crítico - Las puertas en la ruta crítica se definen como el número total de puertas lógicas requeridas durante un ciclo en CMOS.
Ciclo de trabajo - Un ciclo de trabajo o ciclo de energía es la fracción de un período en el que una señal o sistema está activo.
Apagado actual - (Medido en Amperio) - La corriente apagada de un interruptor es un valor que no existe en la realidad. Los interruptores reales normalmente tienen una corriente de apagado muy pequeña, que a veces se denomina corriente de fuga.
Voltaje base del colector - (Medido en Voltio) - El voltaje del colector base es un parámetro crucial en la polarización de transistores. Se refiere a la diferencia de voltaje entre los terminales base y colector del transistor cuando está en su estado activo.
Capacitancia de puerta a canal - (Medido en Faradio) - La capacitancia de puerta a canal es la capacitancia debida a la superposición de las regiones de fuente y canal por la puerta de polisilicio y es independiente del voltaje aplicado.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Ciclo de trabajo: 1.3E-25 --> No se requiere conversión
Apagado actual: 0.01 Miliamperio --> 1E-05 Amperio (Verifique la conversión ​aquí)
Voltaje base del colector: 2.02 Voltio --> 2.02 Voltio No se requiere conversión
Capacitancia de puerta a canal: 5.1 milifaradio --> 0.0051 Faradio (Verifique la conversión ​aquí)
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Ng = D*(ioff*(10^Vbc))/(Cg*[BoltZ]*Vbc) --> 1.3E-25*(1E-05*(10^2.02))/(0.0051*[BoltZ]*2.02)
Evaluar ... ...
Ng = 0.000957058919420363
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
0.000957058919420363 --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
0.000957058919420363 0.000957 <-- Puertas en el camino crítico
(Cálculo completado en 00.020 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Shobhit Dimri
Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por Urvi Rathod
Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

Métricas de potencia CMOS Calculadoras

Poder de conmutación
​ LaTeX ​ Vamos Energía de conmutación = Factor de actividad*(Capacidad*Voltaje base del colector^2*Frecuencia)
Factor de actividad
​ LaTeX ​ Vamos Factor de actividad = Energía de conmutación/(Capacidad*Voltaje base del colector^2*Frecuencia)
Alimentación de cortocircuito en CMOS
​ LaTeX ​ Vamos Energía de cortocircuito = Poder dinámico-Energía de conmutación
Potencia dinámica en CMOS
​ LaTeX ​ Vamos Poder dinámico = Energía de cortocircuito+Energía de conmutación

Puertas en ruta crítica Fórmula

​LaTeX ​Vamos
Puertas en el camino crítico = Ciclo de trabajo*(Apagado actual*(10^Voltaje base del colector))/(Capacitancia de puerta a canal*[BoltZ]*Voltaje base del colector)
Ng = D*(ioff*(10^Vbc))/(Cg*[BoltZ]*Vbc)

¿Qué es la conducción subumbral?

La conducción subumbral o la fuga subumbral o la corriente de drenaje subumbral es la corriente entre la fuente y el drenaje de un MOSFET cuando el transistor está en la región subumbral, o región de inversión débil, es decir, para voltajes de puerta a fuente por debajo del voltaje umbral.

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