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El voltaje de entrada es el voltaje detectado en la entrada del transistor.
ⓘ
Voltaje de entrada [V
in
]
Kilovoltio
Megavoltio
Microvoltio
milivoltio
nanovoltios
Voltaje de Planck
Voltio
+10%
-10%
✖
La resistencia autoinducida es la resistencia interna que se produce debido a la presencia de los propios portadores de carga del FET (electrones o huecos).
ⓘ
Resistencia autoinducida [R
si
]
kilohmios
Megaohmio
Microhm
miliohmio
Ohm
voltios por amperio
+10%
-10%
✖
La transconductancia se define como la relación entre el cambio en la corriente de salida y el cambio en el voltaje de entrada, con el voltaje de puerta-fuente constante.
ⓘ
Transconductancia [g
m
]
Megasiemens
Mho
Micromho
milisiemens
Siemens
+10%
-10%
✖
El voltaje crítico es la fase mínima del voltaje neutro que brilla y aparece a lo largo de todo el conductor de línea.
ⓘ
Puerta a fuente de voltaje en señal pequeña [V
c
]
Kilovoltio
Megavoltio
Microvoltio
milivoltio
nanovoltios
Voltaje de Planck
Voltio
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Puerta a fuente de voltaje en señal pequeña Solución
PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Voltaje crítico
=
Voltaje de entrada
/(1+
Resistencia autoinducida
*
Transconductancia
)
V
c
=
V
in
/(1+
R
si
*
g
m
)
Esta fórmula usa
4
Variables
Variables utilizadas
Voltaje crítico
-
(Medido en Voltio)
- El voltaje crítico es la fase mínima del voltaje neutro que brilla y aparece a lo largo de todo el conductor de línea.
Voltaje de entrada
-
(Medido en Voltio)
- El voltaje de entrada es el voltaje detectado en la entrada del transistor.
Resistencia autoinducida
-
(Medido en Ohm)
- La resistencia autoinducida es la resistencia interna que se produce debido a la presencia de los propios portadores de carga del FET (electrones o huecos).
Transconductancia
-
(Medido en Siemens)
- La transconductancia se define como la relación entre el cambio en la corriente de salida y el cambio en el voltaje de entrada, con el voltaje de puerta-fuente constante.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Voltaje de entrada:
9.4 Voltio --> 9.4 Voltio No se requiere conversión
Resistencia autoinducida:
14.3 kilohmios --> 14300 Ohm
(Verifique la conversión
aquí
)
Transconductancia:
0.5 milisiemens --> 0.0005 Siemens
(Verifique la conversión
aquí
)
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
V
c
= V
in
/(1+R
si
*g
m
) -->
9.4/(1+14300*0.0005)
Evaluar ... ...
V
c
= 1.15337423312883
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
1.15337423312883 Voltio --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
1.15337423312883
≈
1.153374 Voltio
<--
Voltaje crítico
(Cálculo completado en 00.004 segundos)
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Puerta a fuente de voltaje en señal pequeña
Créditos
Creado por
Ritwik Tripathi
Instituto de Tecnología de Vellore
(VIT Vellore)
,
Vellore
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Verificada por
parminder singh
Universidad de Chandigarh
(CU)
,
Punjab
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Análisis de señales pequeñas Calculadoras
Voltaje de salida del canal P de señal pequeña
LaTeX
Vamos
Tensión de salida
=
Transconductancia
*
Voltaje de fuente a puerta
*((
Resistencia de salida
*
Resistencia al drenaje
)/(
Resistencia al drenaje
+
Resistencia de salida
))
Ganancia de voltaje de señal pequeña con respecto a la resistencia de drenaje
LaTeX
Vamos
Ganancia de voltaje
= (
Transconductancia
*((
Resistencia de salida
*
Resistencia al drenaje
)/(
Resistencia de salida
+
Resistencia al drenaje
)))
Transconductancia dados parámetros de señal pequeños
LaTeX
Vamos
Transconductancia
= 2*
Parámetro de transconductancia
*(
Componente CC de la puerta a la fuente de voltaje
-
voltaje total
)
Voltaje de salida de señal pequeña
LaTeX
Vamos
Tensión de salida
=
Transconductancia
*
Voltaje de fuente a puerta
*
Resistencia de carga
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Puerta a fuente de voltaje en señal pequeña Fórmula
LaTeX
Vamos
Voltaje crítico
=
Voltaje de entrada
/(1+
Resistencia autoinducida
*
Transconductancia
)
V
c
=
V
in
/(1+
R
si
*
g
m
)
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