Calculadora Capacitancia de fuente de puerta de FET

✖El tiempo de desactivación de la capacitancia de la fuente de la puerta FET se refiere al tiempo necesario para que se descargue la capacitancia de la puerta a la fuente, un parámetro crítico para controlar la velocidad de conmutación y la eficiencia energética.ⓘ Puerta Fuente Capacitancia Tiempo de apagado FET [T_gs-off(fet)]			+10% -10%
✖El FET de voltaje de fuente de drenaje es el voltaje entre el drenaje y el terminal de fuente de un FET.ⓘ FET de voltaje de fuente de drenaje [V_ds(fet)]			+10% -10%
✖El FET de potencial de superficie funciona en función del potencial de superficie del canal semiconductor, controlando el flujo de corriente a través de un voltaje de compuerta sin generar capas de inversión.ⓘ FET de potencial de superficie [Ψ_0(fet)]			+10% -10%

✖La capacitancia de fuente de puerta FET es la capacitancia entre los terminales de puerta y fuente de un FET.ⓘ Capacitancia de fuente de puerta de FET [C_gs(fet)]

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Capacitancia de fuente de puerta de FET Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Capacitancia de fuente de puerta FET = Puerta Fuente Capacitancia Tiempo de apagado FET/(1-(FET de voltaje de fuente de drenaje/FET de potencial de superficie))^(1/3)
C_gs(fet) = T_gs-off(fet)/(1-(V_ds(fet)/Ψ_0(fet)))^(1/3)
Esta fórmula usa 4 Variables

Variables utilizadas

Capacitancia de fuente de puerta FET - (Medido en Faradio) - La capacitancia de fuente de puerta FET es la capacitancia entre los terminales de puerta y fuente de un FET.
Puerta Fuente Capacitancia Tiempo de apagado FET - (Medido en Segundo) - El tiempo de desactivación de la capacitancia de la fuente de la puerta FET se refiere al tiempo necesario para que se descargue la capacitancia de la puerta a la fuente, un parámetro crítico para controlar la velocidad de conmutación y la eficiencia energética.
FET de voltaje de fuente de drenaje - (Medido en Voltio) - El FET de voltaje de fuente de drenaje es el voltaje entre el drenaje y el terminal de fuente de un FET.
FET de potencial de superficie - (Medido en Voltio) - El FET de potencial de superficie funciona en función del potencial de superficie del canal semiconductor, controlando el flujo de corriente a través de un voltaje de compuerta sin generar capas de inversión.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Puerta Fuente Capacitancia Tiempo de apagado FET: 2.234 Segundo --> 2.234 Segundo No se requiere conversión
FET de voltaje de fuente de drenaje: 4.8 Voltio --> 4.8 Voltio No se requiere conversión
FET de potencial de superficie: 4.976 Voltio --> 4.976 Voltio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

C_gs(fet) = T_gs-off(fet)/(1-(V_ds(fet)/Ψ_0(fet)))^(1/3) --> 2.234/(1-(4.8/4.976))^(1/3)

Evaluar ... ...

C_gs(fet) = 6.80569376657684

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

6.80569376657684 Faradio --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

6.80569376657684 ≈ 6.805694 Faradio <-- Capacitancia de fuente de puerta FET

(Cálculo completado en 00.020 segundos)

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Créditos

Creado por Mohamed Fazil V

instituto de tecnología acharya (AIT), Bangalore

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Verificada por parminder singh

Universidad de Chandigarh (CU), Punjab

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