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Calculadora Capacitancia de la fuente de puerta dada la capacitancia de superposición

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✖El ancho del transistor se refiere al ancho de la región del canal en un MOSFET. Esta dimensión juega un papel crucial en la determinación de las características eléctricas y el rendimiento del transistor.ⓘ Ancho del transistor [W_t]			+10% -10%
✖La longitud del transistor se refiere a la longitud de la región del canal en un MOSFET. Esta dimensión juega un papel crucial en la determinación de las características eléctricas y el rendimiento del transistor.ⓘ Longitud del transistor [L_t]			+10% -10%
✖La capacitancia de óxido se refiere a la capacitancia asociada con la capa de óxido aislante en una estructura semiconductora de óxido metálico (MOS), como en los MOSFET.ⓘ Capacitancia de óxido [C_ox]			+10% -10%
✖La capacitancia de superposición es una capacitancia parásita que surge debido a la superposición física entre la puerta y las regiones de fuente/drenaje.ⓘ Capacitancia de superposición [C_ov]			+10% -10%

✖La capacitancia de fuente de puerta se refiere a la capacitancia entre los terminales de puerta y fuente de un transistor de efecto de campo (FET).ⓘ Capacitancia de la fuente de puerta dada la capacitancia de superposición [C_gs]

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Fórmula

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Capacitancia de la fuente de puerta dada la capacitancia de superposición

Fórmula

C gs = (\frac{2}{3} \cdot W t \cdot L t \cdot C ox) + (W t \cdot C ov)

Ejemplo

13.75005 μF = (\frac{2}{3} \cdot 5.5 μm \cdot 3.2 μm \cdot 3.9 F) + (5.5 μm \cdot 2.5 F)

Calculadora

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Capacitancia de la fuente de puerta dada la capacitancia de superposición Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Capacitancia de la fuente de puerta = (2/3*Ancho del transistor*Longitud del transistor*Capacitancia de óxido)+(Ancho del transistor*Capacitancia de superposición)
C_gs = (2/3*W_t*L_t*C_ox)+(W_t*C_ov)
Esta fórmula usa 5 Variables

Variables utilizadas

Capacitancia de la fuente de puerta - (Medido en Faradio) - La capacitancia de fuente de puerta se refiere a la capacitancia entre los terminales de puerta y fuente de un transistor de efecto de campo (FET).
Ancho del transistor - (Medido en Metro) - El ancho del transistor se refiere al ancho de la región del canal en un MOSFET. Esta dimensión juega un papel crucial en la determinación de las características eléctricas y el rendimiento del transistor.
Longitud del transistor - (Medido en Metro) - La longitud del transistor se refiere a la longitud de la región del canal en un MOSFET. Esta dimensión juega un papel crucial en la determinación de las características eléctricas y el rendimiento del transistor.
Capacitancia de óxido - (Medido en Faradio) - La capacitancia de óxido se refiere a la capacitancia asociada con la capa de óxido aislante en una estructura semiconductora de óxido metálico (MOS), como en los MOSFET.
Capacitancia de superposición - (Medido en Faradio) - La capacitancia de superposición es una capacitancia parásita que surge debido a la superposición física entre la puerta y las regiones de fuente/drenaje.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Ancho del transistor: 5.5 Micrómetro --> 5.5E-06 Metro (Verifique la conversión aquí)
Longitud del transistor: 3.2 Micrómetro --> 3.2E-06 Metro (Verifique la conversión aquí)
Capacitancia de óxido: 3.9 Faradio --> 3.9 Faradio No se requiere conversión
Capacitancia de superposición: 2.5 Faradio --> 2.5 Faradio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

C_gs = (2/3*W_t*L_t*C_ox)+(W_t*C_ov) --> (2/3*5.5E-06*3.2E-06*3.9)+(5.5E-06*2.5)

Evaluar ... ...

C_gs = 1.375004576E-05

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

1.375004576E-05 Faradio -->13.75004576 Microfaradio (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

13.75004576 ≈ 13.75005 Microfaradio <-- Capacitancia de la fuente de puerta

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por banuprakash

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

¡banuprakash ha creado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

Verificada por Santhosh Yadav

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), banglore

¡Santhosh Yadav ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

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Conductividad de tipo N

Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de equilibrio de tipo N+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*(Concentración intrínseca^2/Concentración de equilibrio de tipo N))

Conductividad óhmica de la impureza

Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de electrones+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*Concentración de agujeros)

Impureza con concentración intrínseca

Vamos Concentración intrínseca = sqrt((Concentración de electrones*Concentración de agujeros)/Impureza de temperatura)

Voltaje de ruptura del emisor colector

Vamos Voltaje de ruptura del emisor del colector = Voltaje de ruptura de la base del colector/(Ganancia actual de BJT)^(1/Número raíz)