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Calculadora Capacitancia de óxido de puerta

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Optimización de materiales VLSI Diseño VLSI analógico

✖La capacitancia de puerta es la capacitancia del terminal de puerta de un transistor de efecto de campo.ⓘ Capacitancia de puerta [C_g]			+10% -10%
✖El ancho de la compuerta se refiere a la distancia entre el borde de un electrodo de compuerta metálica y el material semiconductor adyacente en un CMOS.ⓘ Ancho de la puerta [W_g]			+10% -10%
✖La longitud de la puerta es la medida o extensión de algo de un extremo a otro.ⓘ Longitud de la puerta [L_g]			+10% -10%

✖La capacitancia de la capa de óxido de puerta se define como la capacitancia del terminal de puerta de un transistor de efecto de campo.ⓘ Capacitancia de óxido de puerta [C_ox]

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Capacitancia de óxido de puerta Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Capacitancia de la capa de óxido de puerta = Capacitancia de puerta/(Ancho de la puerta*Longitud de la puerta)
C_ox = C_g/(W_g*L_g)
Esta fórmula usa 4 Variables

Variables utilizadas

Capacitancia de la capa de óxido de puerta - (Medido en Farad por metro cuadrado) - La capacitancia de la capa de óxido de puerta se define como la capacitancia del terminal de puerta de un transistor de efecto de campo.
Capacitancia de puerta - (Medido en Faradio) - La capacitancia de puerta es la capacitancia del terminal de puerta de un transistor de efecto de campo.
Ancho de la puerta - (Medido en Metro) - El ancho de la compuerta se refiere a la distancia entre el borde de un electrodo de compuerta metálica y el material semiconductor adyacente en un CMOS.
Longitud de la puerta - (Medido en Metro) - La longitud de la puerta es la medida o extensión de algo de un extremo a otro.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Capacitancia de puerta: 59.61 Microfaradio --> 5.961E-05 Faradio (Verifique la conversión aquí)
Ancho de la puerta: 0.285 Milímetro --> 0.000285 Metro (Verifique la conversión aquí)
Longitud de la puerta: 7.01 Milímetro --> 0.00701 Metro (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

C_ox = C_g/(W_g*L_g) --> 5.961E-05/(0.000285*0.00701)

Evaluar ... ...

C_ox = 29.8370748554696

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

29.8370748554696 Farad por metro cuadrado -->29.8370748554696 Microfaradio por milímetro cuadrado (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

29.8370748554696 ≈ 29.83707 Microfaradio por milímetro cuadrado <-- Capacitancia de la capa de óxido de puerta

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

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Coeficiente de efecto corporal

LaTeX Vamos Coeficiente de efecto corporal = modulus((Voltaje umbral-Tensión umbral DIBL)/(sqrt(Potencial de superficie+(Diferencia de potencial del cuerpo fuente))-sqrt(Potencial de superficie)))

Coeficiente DIBL

LaTeX Vamos Coeficiente DIBL = (Tensión umbral DIBL-Voltaje umbral)/Drenar a la fuente potencial

Carga de canal

LaTeX Vamos Cargo del canal = Capacitancia de puerta*(Voltaje de puerta a canal-Voltaje umbral)

Voltaje crítico

LaTeX Vamos Voltaje crítico = Campo eléctrico crítico*Campo eléctrico a lo largo del canal

Capacitancia de óxido de puerta Fórmula

LaTeX Vamos

Capacitancia de la capa de óxido de puerta = Capacitancia de puerta/(Ancho de la puerta*Longitud de la puerta)
C_ox = C_g/(W_g*L_g)

¿Cuáles son las regiones de operación en los transistores MOS?

Los transistores MOS tienen tres regiones de operación. Son la región de corte o subumbral, la región lineal y la región de saturación.

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