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Calculadora Longitud de puerta usando la capacitancia de óxido de puerta

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✖La capacitancia de puerta es la capacitancia del terminal de puerta de un transistor de efecto de campo.ⓘ Capacitancia de puerta [C_g]			+10% -10%
✖La capacitancia de la capa de óxido de puerta se define como la capacitancia del terminal de puerta de un transistor de efecto de campo.ⓘ Capacitancia de la capa de óxido de puerta [C_ox]			+10% -10%
✖El ancho de la compuerta se refiere a la distancia entre el borde de un electrodo de compuerta metálica y el material semiconductor adyacente en un CMOS.ⓘ Ancho de la puerta [W_g]			+10% -10%

✖La longitud de la puerta es la medida o extensión de algo de un extremo a otro.ⓘ Longitud de puerta usando la capacitancia de óxido de puerta [L_g]

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Fórmula

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Longitud de puerta usando la capacitancia de óxido de puerta

Fórmula

L g = \frac{C g}{C ox \cdot W g}

Ejemplo

7.011663 mm = \frac{59.61 μF}{29.83 μF/mm² \cdot 0.285 mm}

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Longitud de puerta usando la capacitancia de óxido de puerta Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Longitud de la puerta = Capacitancia de puerta/(Capacitancia de la capa de óxido de puerta*Ancho de la puerta)
L_g = C_g/(C_ox*W_g)
Esta fórmula usa 4 Variables

Variables utilizadas

Longitud de la puerta - (Medido en Metro) - La longitud de la puerta es la medida o extensión de algo de un extremo a otro.
Capacitancia de puerta - (Medido en Faradio) - La capacitancia de puerta es la capacitancia del terminal de puerta de un transistor de efecto de campo.
Capacitancia de la capa de óxido de puerta - (Medido en Farad por metro cuadrado) - La capacitancia de la capa de óxido de puerta se define como la capacitancia del terminal de puerta de un transistor de efecto de campo.
Ancho de la puerta - (Medido en Metro) - El ancho de la compuerta se refiere a la distancia entre el borde de un electrodo de compuerta metálica y el material semiconductor adyacente en un CMOS.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Capacitancia de puerta: 59.61 Microfaradio --> 5.961E-05 Faradio (Verifique la conversión aquí)
Capacitancia de la capa de óxido de puerta: 29.83 Microfaradio por milímetro cuadrado --> 29.83 Farad por metro cuadrado (Verifique la conversión aquí)
Ancho de la puerta: 0.285 Milímetro --> 0.000285 Metro (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

L_g = C_g/(C_ox*W_g) --> 5.961E-05/(29.83*0.000285)

Evaluar ... ...

L_g = 0.00701166257917674

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.00701166257917674 Metro -->7.01166257917674 Milímetro (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

7.01166257917674 ≈ 7.011663 Milímetro <-- Longitud de la puerta

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

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Coeficiente de efecto corporal

Vamos Coeficiente de efecto corporal = modulus((Voltaje umbral-Tensión umbral DIBL)/(sqrt(Potencial de superficie+(Diferencia de potencial del cuerpo fuente))-sqrt(Potencial de superficie)))

Coeficiente DIBL

Vamos Coeficiente DIBL = (Tensión umbral DIBL-Voltaje umbral)/Drenar a la fuente potencial

Carga de canal

Vamos Cargo del canal = Capacitancia de puerta*(Voltaje de puerta a canal-Voltaje umbral)

Voltaje crítico

Vamos Voltaje crítico = Campo eléctrico crítico*Campo eléctrico a lo largo del canal

Longitud de puerta usando la capacitancia de óxido de puerta Fórmula

Longitud de la puerta = Capacitancia de puerta/(Capacitancia de la capa de óxido de puerta*Ancho de la puerta)
L_g = C_g/(C_ox*W_g)

¿Cuáles son las aplicaciones de la capa de óxido en VLSI?

La capa de óxido tiene aplicaciones clave en dispositivos semiconductores. Sirve como puerta aislante en transistores MOS, permitiendo el control del flujo de electrones. Además, actúa como una capa de aislamiento eléctrico entre diferentes componentes e interconexiones, lo que garantiza un funcionamiento confiable y eficiente de circuitos integrados en aplicaciones como microprocesadores, dispositivos de memoria y sensores.

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