Calculadora Fuga de la puerta a través del dieléctrico de la puerta

✖La potencia estática CMOS se define como la corriente de fuga debido al muy bajo consumo de energía estática en los dispositivos CMOS.ⓘ Potencia estática CMOS [P_st]			+10% -10%
✖El voltaje del colector base es un parámetro crucial en la polarización de transistores. Se refiere a la diferencia de voltaje entre los terminales base y colector del transistor cuando está en su estado activo.ⓘ Voltaje base del colector [V_bc]			+10% -10%
✖La corriente subumbral es una fuga subumbral a través de transistores APAGADOS.ⓘ Corriente subumbral [i_st]			+10% -10%
✖La corriente de contención se define como la corriente de contención que ocurre en los circuitos proporcionales.ⓘ Contención actual [i_con]			+10% -10%
✖La corriente de unión es una fuga en la unión de las difusiones de fuente/drenaje.ⓘ Corriente de unión [i_j]			+10% -10%

✖La corriente de compuerta se define como cuando no hay voltaje entre la compuerta y los terminales de la fuente, no fluye corriente en el drenaje excepto la corriente de fuga, debido a una impedancia muy alta de la fuente del drenaje.ⓘ Fuga de la puerta a través del dieléctrico de la puerta [i_g]

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Fórmula

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Fuga de la puerta a través del dieléctrico de la puerta

Fórmula

i g = (\frac{P st}{V bc}) - (i st + i con + i j)

Ejemplo

4.501485 mA = (\frac{67.37 mW}{2.02 V}) - (1.6 mA + 25.75 mA + 1.5 mA)

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Fuga de la puerta a través del dieléctrico de la puerta Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Corriente de puerta = (Potencia estática CMOS/Voltaje base del colector)-(Corriente subumbral+Contención actual+Corriente de unión)
i_g = (P_st/V_bc)-(i_st+i_con+i_j)
Esta fórmula usa 6 Variables

Variables utilizadas

Corriente de puerta - (Medido en Amperio) - La corriente de compuerta se define como cuando no hay voltaje entre la compuerta y los terminales de la fuente, no fluye corriente en el drenaje excepto la corriente de fuga, debido a una impedancia muy alta de la fuente del drenaje.
Potencia estática CMOS - (Medido en Vatio) - La potencia estática CMOS se define como la corriente de fuga debido al muy bajo consumo de energía estática en los dispositivos CMOS.
Voltaje base del colector - (Medido en Voltio) - El voltaje del colector base es un parámetro crucial en la polarización de transistores. Se refiere a la diferencia de voltaje entre los terminales base y colector del transistor cuando está en su estado activo.
Corriente subumbral - (Medido en Amperio) - La corriente subumbral es una fuga subumbral a través de transistores APAGADOS.
Contención actual - (Medido en Amperio) - La corriente de contención se define como la corriente de contención que ocurre en los circuitos proporcionales.
Corriente de unión - (Medido en Amperio) - La corriente de unión es una fuga en la unión de las difusiones de fuente/drenaje.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Potencia estática CMOS: 67.37 milivatio --> 0.06737 Vatio (Verifique la conversión aquí)
Voltaje base del colector: 2.02 Voltio --> 2.02 Voltio No se requiere conversión
Corriente subumbral: 1.6 Miliamperio --> 0.0016 Amperio (Verifique la conversión aquí)
Contención actual: 25.75 Miliamperio --> 0.02575 Amperio (Verifique la conversión aquí)
Corriente de unión: 1.5 Miliamperio --> 0.0015 Amperio (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

i_g = (P_st/V_bc)-(i_st+i_con+i_j) --> (0.06737/2.02)-(0.0016+0.02575+0.0015)

Evaluar ... ...

i_g = 0.00450148514851485

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.00450148514851485 Amperio -->4.50148514851485 Miliamperio (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

4.50148514851485 ≈ 4.501485 Miliamperio <-- Corriente de puerta

(Cálculo completado en 00.020 segundos)

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Créditos

Creado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

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Poder de conmutación

Vamos Energía de conmutación = Factor de actividad*(Capacidad*Voltaje base del colector^2*Frecuencia)

Factor de actividad

Vamos Factor de actividad = Energía de conmutación/(Capacidad*Voltaje base del colector^2*Frecuencia)

Alimentación de cortocircuito en CMOS

Vamos Energía de cortocircuito = Poder dinámico-Energía de conmutación

Potencia dinámica en CMOS

Vamos Poder dinámico = Energía de cortocircuito+Energía de conmutación

Fuga de la puerta a través del dieléctrico de la puerta Fórmula

Corriente de puerta = (Potencia estática CMOS/Voltaje base del colector)-(Corriente subumbral+Contención actual+Corriente de unión)
i_g = (P_st/V_bc)-(i_st+i_con+i_j)

¿MOSFET es un dispositivo de control de corriente?

El MOSFET, como el FET, es un dispositivo controlado por voltaje. Una entrada de voltaje a la puerta controla el flujo de corriente desde la fuente al drenaje. La puerta no consume una corriente continua.

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