Calculadora Potencial de Fermi para el tipo N

Ingenieria Financiero Física Mates Patio de recreo Química Salud

↳

Electrónica Ciencia de los Materiales Civil Eléctrico Electrónica e instrumentación Ingeniería de Producción Ingeniería Química Mecánico

⤿

MOSFET BJT

⤿

Transistor MOS Actual Análisis de señales pequeñas Características del MOSFET Efectos capacitivos internos y modelo de alta frecuencia Factor de amplificación o ganancia Mejora del canal N Mejora del canal P Relación de rechazo de modo común (CMRR)Resistencia sesgo Transconductancia Voltaje

✖La temperatura absoluta es una medida de la energía térmica de un sistema y se mide en kelvins.ⓘ Temperatura absoluta [T_a]			+10% -10%
✖La concentración de dopante donante es la concentración de átomos donantes por unidad de volumen.ⓘ Concentración de dopante del donante [N_d]			+10% -10%
✖La concentración de portadores intrínsecos es una propiedad fundamental de un material semiconductor y representa la concentración de portadores de carga generados térmicamente en ausencia de influencias externas.ⓘ Concentración de portador intrínseco [n_i]			+10% -10%

✖El potencial de Fermi para el tipo N es un parámetro clave que describe el nivel de energía en el que la probabilidad de encontrar un electrón es 0,5.ⓘ Potencial de Fermi para el tipo N [Φ_Fn]

⎘ Copiar

👎

Fórmula

✖

Potencial de Fermi para el tipo N

Fórmula

Φ Fn = \frac{[BoltZ] \cdot T a}{[Charge-e]} \cdot \ln (\frac{N d}{n i})

Ejemplo

0.081443 V = \frac{[BoltZ] \cdot 24.5 K}{[Charge-e]} \cdot \ln (\frac{1.7E+23 electrons/m³}{3000000 electrons/m³})

Calculadora

LaTeX

Reiniciar

👍

Descargar MOSFET Fórmula PDF PDF Image

Potencial de Fermi para el tipo N Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Potencial de Fermi para el tipo N = ([BoltZ]*Temperatura absoluta)/[Charge-e]*ln(Concentración de dopante del donante/Concentración de portador intrínseco)
Φ_Fn = ([BoltZ]*T_a)/[Charge-e]*ln(N_d/n_i)
Esta fórmula usa 2 Constantes, 1 Funciones, 4 Variables

Constantes utilizadas

[Charge-e] - carga de electrones Valor tomado como 1.60217662E-19
[BoltZ] - constante de Boltzmann Valor tomado como 1.38064852E-23

Funciones utilizadas

ln - El logaritmo natural, también conocido como logaritmo en base e, es la función inversa de la función exponencial natural., ln(Number)

Variables utilizadas

Potencial de Fermi para el tipo N - (Medido en Voltio) - El potencial de Fermi para el tipo N es un parámetro clave que describe el nivel de energía en el que la probabilidad de encontrar un electrón es 0,5.
Temperatura absoluta - (Medido en Kelvin) - La temperatura absoluta es una medida de la energía térmica de un sistema y se mide en kelvins.
Concentración de dopante del donante - (Medido en Electrones por metro cúbico) - La concentración de dopante donante es la concentración de átomos donantes por unidad de volumen.
Concentración de portador intrínseco - (Medido en Electrones por metro cúbico) - La concentración de portadores intrínsecos es una propiedad fundamental de un material semiconductor y representa la concentración de portadores de carga generados térmicamente en ausencia de influencias externas.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Temperatura absoluta: 24.5 Kelvin --> 24.5 Kelvin No se requiere conversión
Concentración de dopante del donante: 1.7E+23 Electrones por metro cúbico --> 1.7E+23 Electrones por metro cúbico No se requiere conversión
Concentración de portador intrínseco: 3000000 Electrones por metro cúbico --> 3000000 Electrones por metro cúbico No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

Φ_Fn = ([BoltZ]*T_a)/[Charge-e]*ln(N_d/n_i) --> ([BoltZ]*24.5)/[Charge-e]*ln(1.7E+23/3000000)

Evaluar ... ...

Φ_Fn = 0.081443344057026

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.081443344057026 Voltio --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

0.081443344057026 ≈ 0.081443 Voltio <-- Potencial de Fermi para el tipo N

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Aquí estás -

Inicio » Ingenieria » Electrónica » MOSFET » Electrónica analógica » Transistor MOS » Potencial de Fermi para el tipo N

Créditos

Creado por banuprakash

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

¡banuprakash ha creado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

Verificada por Dipanjona Mallick

Instituto Tecnológico del Patrimonio (hitk), Calcuta

¡Dipanjona Mallick ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

< 5 Transistor MOS Calculadoras

Factor de equivalencia de voltaje de pared lateral

Vamos Factor de equivalencia de voltaje de pared lateral = -(2*sqrt(Potencial incorporado de uniones de paredes laterales)/(Voltaje final-Voltaje inicial)*(sqrt(Potencial incorporado de uniones de paredes laterales-Voltaje final)-sqrt(Potencial incorporado de uniones de paredes laterales-Voltaje inicial)))

Potencial de Fermi para el tipo N

Vamos Potencial de Fermi para el tipo N = ([BoltZ]*Temperatura absoluta)/[Charge-e]*ln(Concentración de dopante del donante/Concentración de portador intrínseco)

Potencial de Fermi para el tipo P

Vamos Potencial de Fermi para el tipo P = ([BoltZ]*Temperatura absoluta)/[Charge-e]*ln(Concentración de portador intrínseco/Concentración de dopaje del aceptor)

Capacitancia equivalente de unión de señal grande

Vamos Capacitancia equivalente de unión de señal grande = Perímetro de la pared lateral*Capacitancia de unión de pared lateral*Factor de equivalencia de voltaje de pared lateral

Capacitancia de unión de pared lateral de polarización cero por unidad de longitud

Vamos Capacitancia de unión de pared lateral = Potencial de unión de pared lateral de polarización cero*Profundidad de la pared lateral

Potencial de Fermi para el tipo N Fórmula

Inicio

GRATIS PDF

🔍 Búsqueda

Categorías

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!