Calculadora Potencial de Fermi para el tipo N

✖La temperatura absoluta es una medida de la energía térmica de un sistema y se mide en kelvins.ⓘ Temperatura absoluta [T_a]			+10% -10%
✖La concentración de dopante donante es la concentración de átomos donantes por unidad de volumen.ⓘ Concentración de dopante del donante [N_d]			+10% -10%
✖La concentración de portadores intrínsecos es una propiedad fundamental de un material semiconductor y representa la concentración de portadores de carga generados térmicamente en ausencia de influencias externas.ⓘ Concentración de portador intrínseco [n_i]			+10% -10%

✖El potencial de Fermi para el tipo N es un parámetro clave que describe el nivel de energía en el que la probabilidad de encontrar un electrón es 0,5.ⓘ Potencial de Fermi para el tipo N [Φ_Fn]

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Potencial de Fermi para el tipo N Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Potencial de Fermi para el tipo N = ([BoltZ]*Temperatura absoluta)/[Charge-e]*ln(Concentración de dopante del donante/Concentración de portador intrínseco)
Φ_Fn = ([BoltZ]*T_a)/[Charge-e]*ln(N_d/n_i)
Esta fórmula usa 2 Constantes, 1 Funciones, 4 Variables

Constantes utilizadas

[Charge-e] - carga de electrones Valor tomado como 1.60217662E-19
[BoltZ] - constante de Boltzmann Valor tomado como 1.38064852E-23

Funciones utilizadas

ln - El logaritmo natural, también conocido como logaritmo en base e, es la función inversa de la función exponencial natural., ln(Number)

Variables utilizadas

Potencial de Fermi para el tipo N - (Medido en Voltio) - El potencial de Fermi para el tipo N es un parámetro clave que describe el nivel de energía en el que la probabilidad de encontrar un electrón es 0,5.
Temperatura absoluta - (Medido en Kelvin) - La temperatura absoluta es una medida de la energía térmica de un sistema y se mide en kelvins.
Concentración de dopante del donante - (Medido en Electrones por metro cúbico) - La concentración de dopante donante es la concentración de átomos donantes por unidad de volumen.
Concentración de portador intrínseco - (Medido en Electrones por metro cúbico) - La concentración de portadores intrínsecos es una propiedad fundamental de un material semiconductor y representa la concentración de portadores de carga generados térmicamente en ausencia de influencias externas.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Temperatura absoluta: 24.5 Kelvin --> 24.5 Kelvin No se requiere conversión
Concentración de dopante del donante: 1.7E+23 Electrones por metro cúbico --> 1.7E+23 Electrones por metro cúbico No se requiere conversión
Concentración de portador intrínseco: 3000000 Electrones por metro cúbico --> 3000000 Electrones por metro cúbico No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

Φ_Fn = ([BoltZ]*T_a)/[Charge-e]*ln(N_d/n_i) --> ([BoltZ]*24.5)/[Charge-e]*ln(1.7E+23/3000000)

Evaluar ... ...

Φ_Fn = 0.081443344057026

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.081443344057026 Voltio --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

0.081443344057026 ≈ 0.081443 Voltio <-- Potencial de Fermi para el tipo N

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por banuprakash

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Verificada por Dipanjona Mallick

Instituto Tecnológico del Patrimonio (hitk), Calcuta

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