Calculadora Potencial de Fermi para el tipo P

✖La temperatura absoluta es una medida de la energía térmica de un sistema y se mide en kelvins.ⓘ Temperatura absoluta [T_a]			+10% -10%
✖La concentración de portadores intrínsecos es una propiedad fundamental de un material semiconductor y representa la concentración de portadores de carga generados térmicamente en ausencia de influencias externas.ⓘ Concentración de portador intrínseco [n_i]			+10% -10%
✖La concentración de dopaje del aceptor se refiere a la concentración de átomos aceptores agregados intencionalmente a un material semiconductor.ⓘ Concentración de dopaje del aceptor [N_A]			+10% -10%

✖El potencial de Fermi para el tipo P es el nivel de energía que representa los electrones de mayor energía en la banda de valencia en equilibrio térmico.ⓘ Potencial de Fermi para el tipo P [Φ_Fp]

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Potencial de Fermi para el tipo P Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Potencial de Fermi para el tipo P = ([BoltZ]*Temperatura absoluta)/[Charge-e]*ln(Concentración de portador intrínseco/Concentración de dopaje del aceptor)
Φ_Fp = ([BoltZ]*T_a)/[Charge-e]*ln(n_i/N_A)
Esta fórmula usa 2 Constantes, 1 Funciones, 4 Variables

Constantes utilizadas

[Charge-e] - carga de electrones Valor tomado como 1.60217662E-19
[BoltZ] - constante de Boltzmann Valor tomado como 1.38064852E-23

Funciones utilizadas

ln - El logaritmo natural, también conocido como logaritmo en base e, es la función inversa de la función exponencial natural., ln(Number)

Variables utilizadas

Potencial de Fermi para el tipo P - (Medido en Voltio) - El potencial de Fermi para el tipo P es el nivel de energía que representa los electrones de mayor energía en la banda de valencia en equilibrio térmico.
Temperatura absoluta - (Medido en Kelvin) - La temperatura absoluta es una medida de la energía térmica de un sistema y se mide en kelvins.
Concentración de portador intrínseco - (Medido en Electrones por metro cúbico) - La concentración de portadores intrínsecos es una propiedad fundamental de un material semiconductor y representa la concentración de portadores de carga generados térmicamente en ausencia de influencias externas.
Concentración de dopaje del aceptor - (Medido en Electrones por metro cúbico) - La concentración de dopaje del aceptor se refiere a la concentración de átomos aceptores agregados intencionalmente a un material semiconductor.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Temperatura absoluta: 24.5 Kelvin --> 24.5 Kelvin No se requiere conversión
Concentración de portador intrínseco: 3000000 Electrones por metro cúbico --> 3000000 Electrones por metro cúbico No se requiere conversión
Concentración de dopaje del aceptor: 1.32 Electrones por centímetro cúbico --> 1320000 Electrones por metro cúbico (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

Φ_Fp = ([BoltZ]*T_a)/[Charge-e]*ln(n_i/N_A) --> ([BoltZ]*24.5)/[Charge-e]*ln(3000000/1320000)

Evaluar ... ...

Φ_Fp = 0.00173329185218156

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.00173329185218156 Voltio --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

0.00173329185218156 ≈ 0.001733 Voltio <-- Potencial de Fermi para el tipo P

(Cálculo completado en 00.020 segundos)

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Créditos

Creado por banuprakash

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Verificada por Dipanjona Mallick

Instituto Tecnológico del Patrimonio (hitk), Calcuta

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