Calculadora Parámetro del proceso de fabricación de NMOS

✖La concentración de dopaje del sustrato P es el número de impurezas añadidas al sustrato. Es la concentración total de iones aceptores.ⓘ Concentración de dopaje del sustrato P [N_P]			+10% -10%
✖La capacitancia de óxido es un parámetro importante que afecta el rendimiento de los dispositivos MOS, como la velocidad y el consumo de energía de los circuitos integrados.ⓘ Capacitancia de óxido [C_ox]			+10% -10%

✖El parámetro del proceso de fabricación es el proceso que comienza con la oxidación del sustrato de silicio en el que se deposita una capa de óxido relativamente gruesa en la superficie.ⓘ Parámetro del proceso de fabricación de NMOS [γ]

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Parámetro del proceso de fabricación de NMOS Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Parámetro del proceso de fabricación = sqrt(2*[Charge-e]*Concentración de dopaje del sustrato P*[Permitivity-vacuum])/Capacitancia de óxido
γ = sqrt(2*[Charge-e]*N_P*[Permitivity-vacuum])/C_ox
Esta fórmula usa 2 Constantes, 1 Funciones, 3 Variables

Constantes utilizadas

[Permitivity-vacuum] - Permitividad del vacío Valor tomado como 8.85E-12
[Charge-e] - carga de electrones Valor tomado como 1.60217662E-19

Funciones utilizadas

sqrt - Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)

Variables utilizadas

Parámetro del proceso de fabricación - El parámetro del proceso de fabricación es el proceso que comienza con la oxidación del sustrato de silicio en el que se deposita una capa de óxido relativamente gruesa en la superficie.
Concentración de dopaje del sustrato P - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de dopaje del sustrato P es el número de impurezas añadidas al sustrato. Es la concentración total de iones aceptores.
Capacitancia de óxido - (Medido en Faradio) - La capacitancia de óxido es un parámetro importante que afecta el rendimiento de los dispositivos MOS, como la velocidad y el consumo de energía de los circuitos integrados.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Concentración de dopaje del sustrato P: 6E+16 1 por centímetro cúbico --> 6E+22 1 por metro cúbico (Verifique la conversión aquí)
Capacitancia de óxido: 2.02 Microfaradio --> 2.02E-06 Faradio (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

γ = sqrt(2*[Charge-e]*N_P*[Permitivity-vacuum])/C_ox --> sqrt(2*[Charge-e]*6E+22*[Permitivity-vacuum])/2.02E-06

Evaluar ... ...

γ = 204.204864690003

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

204.204864690003 --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

204.204864690003 ≈ 204.2049 <-- Parámetro del proceso de fabricación

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

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Parámetro del proceso de fabricación de NMOS Fórmula

LaTeX Vamos

Parámetro del proceso de fabricación = sqrt(2*[Charge-e]*Concentración de dopaje del sustrato P*[Permitivity-vacuum])/Capacitancia de óxido
γ = sqrt(2*[Charge-e]*N_P*[Permitivity-vacuum])/C_ox

¿Cuál es el otro nombre del parámetro del proceso de fabricación?

El parámetro del proceso de fabricación también se conoce como parámetro de efecto corporal. Se denota por γ. Es positivo en NMOS.

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