Calculadora MCD

Calculadora Exceso de concentración de portadores

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Banda de energía y portador de carga Electrones y agujeros Portadores de semiconductores Unión SSD

✖Generación óptica Valora el número de electrones generados en cada punto del dispositivo debido a la absorción de fotones.ⓘ Tasa de generación óptica [g_op]			+10% -10%
✖Recombination Lifetime el tiempo promedio que tarda un exceso de portador minoritario en recombinarse.ⓘ Vida útil de la recombinación [τ_n]			+10% -10%

✖El exceso de concentración de portadores es un exceso de electrones presentes en la concentración de portadores.ⓘ Exceso de concentración de portadores [δ_n]

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Exceso de concentración de portadores Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Exceso de concentración de portadores = Tasa de generación óptica*Vida útil de la recombinación
δ_n = g_op*τ_n
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

Exceso de concentración de portadores - (Medido en 1 por metro cúbico) - El exceso de concentración de portadores es un exceso de electrones presentes en la concentración de portadores.
Tasa de generación óptica - Generación óptica Valora el número de electrones generados en cada punto del dispositivo debido a la absorción de fotones.
Vida útil de la recombinación - (Medido en Segundo) - Recombination Lifetime el tiempo promedio que tarda un exceso de portador minoritario en recombinarse.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Tasa de generación óptica: 2.9E+19 --> No se requiere conversión
Vida útil de la recombinación: 3.62E-06 Segundo --> 3.62E-06 Segundo No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

δ_n = g_op*τ_n --> 2.9E+19*3.62E-06

Evaluar ... ...

δ_n = 104980000000000

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

104980000000000 1 por metro cúbico --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

104980000000000 ≈ 1E+14 1 por metro cúbico <-- Exceso de concentración de portadores

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< Banda de energía y portador de carga Calculadoras

Concentración de electrones en estado estacionario

LaTeX Vamos Concentración de portadores en estado estacionario = Concentración de electrones en banda de conducción+Exceso de concentración de portadores

Energía del electrón dada la constante de Coulomb

LaTeX Vamos Energía del electrón = (Número cuántico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Longitud potencial del pozo^2)

Energía de la banda de valencia

LaTeX Vamos Energía de la banda de valencia = Energía de banda de conducción-Brecha de energía

Brecha de energía

LaTeX Vamos Brecha de energía = Energía de banda de conducción-Energía de la banda de valencia

< Portadores de semiconductores Calculadoras

Función Fermi

LaTeX Vamos Función de Fermi = Concentración de electrones en banda de conducción/Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción

Coeficiente de distribución

LaTeX Vamos Coeficiente de distribución = Concentración de impurezas en sólidos/Concentración de impurezas en líquido

Energía de banda de conducción

LaTeX Vamos Energía de banda de conducción = Brecha de energía+Energía de la banda de valencia

Energía de fotoelectrones

LaTeX Vamos Energía de fotoelectrones = [hP]*Frecuencia de luz incidente

Exceso de concentración de portadores Fórmula

LaTeX Vamos

Exceso de concentración de portadores = Tasa de generación óptica*Vida útil de la recombinación
δ_n = g_op*τ_n

¿Cómo se aumenta la concentración de portadores?

La disminución de la temperatura provoca una disminución en la concentración intrínseca del portador, mientras que el aumento de la temperatura provoca un aumento en la concentración intrínseca del portador.

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