Calculadora Profundidad de la región de agotamiento asociada con el drenaje

✖El potencial de unión incorporado se refiere a la diferencia de potencial o voltaje que existe a través de una unión semiconductora cuando no está conectada a una fuente de voltaje externa.ⓘ Potencial de unión incorporado [Φ_o]			+10% -10%
✖El voltaje de la fuente de drenaje es el voltaje aplicado entre el terminal de fuente y drenaje.ⓘ Voltaje de la fuente de drenaje [V_DS]			+10% -10%
✖La concentración de dopaje del aceptor se refiere a la concentración de átomos aceptores agregados intencionalmente a un material semiconductor.ⓘ Concentración de dopaje del aceptor [N_A]			+10% -10%

✖La región de profundidad de agotamiento del drenaje es la región de agotamiento que se forma cerca del terminal de drenaje cuando se aplica un voltaje al terminal de la compuerta.ⓘ Profundidad de la región de agotamiento asociada con el drenaje [x_dD]

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Fórmula

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Profundidad de la región de agotamiento asociada con el drenaje

Fórmula

x dD = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot (Φ o + V DS)}{[Charge-e] \cdot N A}}

Ejemplo

7.2E+7 m = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot (2 V + 45 V)}{[Charge-e] \cdot 1.32 electrons/cm³}}

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Profundidad de la región de agotamiento asociada con el drenaje Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Región de profundidad de agotamiento del drenaje = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Potencial de unión incorporado+Voltaje de la fuente de drenaje))/([Charge-e]*Concentración de dopaje del aceptor))
x_dD = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Φ_o+V_DS))/([Charge-e]*N_A))
Esta fórmula usa 2 Constantes, 1 Funciones, 4 Variables

Constantes utilizadas

[Permitivity-silicon] - Permitividad del silicio Valor tomado como 11.7
[Charge-e] - carga de electrones Valor tomado como 1.60217662E-19

Funciones utilizadas

sqrt - Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)

Variables utilizadas

Región de profundidad de agotamiento del drenaje - (Medido en Metro) - La región de profundidad de agotamiento del drenaje es la región de agotamiento que se forma cerca del terminal de drenaje cuando se aplica un voltaje al terminal de la compuerta.
Potencial de unión incorporado - (Medido en Voltio) - El potencial de unión incorporado se refiere a la diferencia de potencial o voltaje que existe a través de una unión semiconductora cuando no está conectada a una fuente de voltaje externa.
Voltaje de la fuente de drenaje - (Medido en Voltio) - El voltaje de la fuente de drenaje es el voltaje aplicado entre el terminal de fuente y drenaje.
Concentración de dopaje del aceptor - (Medido en Electrones por metro cúbico) - La concentración de dopaje del aceptor se refiere a la concentración de átomos aceptores agregados intencionalmente a un material semiconductor.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Potencial de unión incorporado: 2 Voltio --> 2 Voltio No se requiere conversión
Voltaje de la fuente de drenaje: 45 Voltio --> 45 Voltio No se requiere conversión
Concentración de dopaje del aceptor: 1.32 Electrones por centímetro cúbico --> 1320000 Electrones por metro cúbico (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

x_dD = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Φ_o+V_DS))/([Charge-e]*N_A)) --> sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(2+45))/([Charge-e]*1320000))

Evaluar ... ...

x_dD = 72113188.282716

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

72113188.282716 Metro --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

72113188.282716 ≈ 7.2E+7 Metro <-- Región de profundidad de agotamiento del drenaje

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por banuprakash

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

¡banuprakash ha creado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

Verificada por Dipanjona Mallick

Instituto Tecnológico del Patrimonio (hitk), Calcuta

¡Dipanjona Mallick ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

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Factor de equivalencia de voltaje de pared lateral

Vamos Factor de equivalencia de voltaje de pared lateral = -(2*sqrt(Potencial incorporado de uniones de paredes laterales)/(Voltaje final-Voltaje inicial)*(sqrt(Potencial incorporado de uniones de paredes laterales-Voltaje final)-sqrt(Potencial incorporado de uniones de paredes laterales-Voltaje inicial)))

Potencial de Fermi para el tipo P

Vamos Potencial de Fermi para el tipo P = ([BoltZ]*Temperatura absoluta)/[Charge-e]*ln(Concentración de portador intrínseco/Concentración de dopaje del aceptor)

Capacitancia equivalente de unión de señal grande

Vamos Capacitancia equivalente de unión de señal grande = Perímetro de la pared lateral*Capacitancia de unión de pared lateral*Factor de equivalencia de voltaje de pared lateral

Capacitancia de unión de pared lateral de polarización cero por unidad de longitud

Vamos Capacitancia de unión de pared lateral = Potencial de unión de pared lateral de polarización cero*Profundidad de la pared lateral

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