Calculadora Profundidad de la región de agotamiento asociada con el drenaje

Región de profundidad de agotamiento del drenaje = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Potencial de unión incorporado+Voltaje de la fuente de drenaje))/([Charge-e]*Concentración de dopaje del aceptor))
x_dD = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Φ_o+V_DS))/([Charge-e]*N_A))
Esta fórmula usa 2 Constantes, 1 Funciones, 4 Variables
[Permitivity-silicon] - Permitividad del silicio Valor tomado como 11.7
[Charge-e] - carga de electrones Valor tomado como 1.60217662E-19sqrt - Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)Región de profundidad de agotamiento del drenaje - (Medido en Metro) - La región de profundidad de agotamiento del drenaje es la región de agotamiento que se forma cerca del terminal de drenaje cuando se aplica un voltaje al terminal de la compuerta.
Potencial de unión incorporado - (Medido en Voltio) - El potencial de unión incorporado se refiere a la diferencia de potencial o voltaje que existe a través de una unión semiconductora cuando no está conectada a una fuente de voltaje externa.
Voltaje de la fuente de drenaje - (Medido en Voltio) - El voltaje de la fuente de drenaje es el voltaje aplicado entre el terminal de fuente y drenaje.
Concentración de dopaje del aceptor - (Medido en Electrones por metro cúbico) - La concentración de dopaje del aceptor se refiere a la concentración de átomos aceptores agregados intencionalmente a un material semiconductor.

(Cálculo completado en 00.008 segundos)