Espesor de óxido equivalente Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Espesor de óxido equivalente = Grosor del material*(3.9/Constante dieléctrica del material)
EOT = thigh-k*(3.9/khigh-k)
Esta fórmula usa 3 Variables
Variables utilizadas
Espesor de óxido equivalente - (Medido en Metro) - El espesor de óxido equivalente es una medida utilizada en tecnología de semiconductores para caracterizar las propiedades aislantes de un dieléctrico de compuerta en un dispositivo semiconductor de óxido metálico (MOS).
Grosor del material - (Medido en Metro) - El espesor del material es el espesor del material dado. Se refiere a la dimensión física de un objeto medida perpendicular a su superficie.
Constante dieléctrica del material - La constante dieléctrica del material es una medida de la capacidad de un material para almacenar energía eléctrica en un campo eléctrico.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Grosor del material: 8.5 nanómetro --> 8.5E-09 Metro (Verifique la conversión ​aquí)
Constante dieléctrica del material: 2.26 --> No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
EOT = thigh-k*(3.9/khigh-k) --> 8.5E-09*(3.9/2.26)
Evaluar ... ...
EOT = 1.46681415929204E-08
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
1.46681415929204E-08 Metro -->14.6681415929204 nanómetro (Verifique la conversión ​aquí)
RESPUESTA FINAL
14.6681415929204 14.66814 nanómetro <-- Espesor de óxido equivalente
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por banuprakash
Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore
¡banuprakash ha creado esta calculadora y 50+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por Santhosh Yadav
Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), banglore
¡Santhosh Yadav ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

Fabricación de circuitos integrados MOS Calculadoras

Efecto corporal en MOSFET
​ LaTeX ​ Vamos Voltaje umbral con sustrato = Voltaje umbral con polarización corporal cero+Parámetro de efecto corporal*(sqrt(2*Potencial de Fermi a granel+Voltaje aplicado al cuerpo)-sqrt(2*Potencial de Fermi a granel))
Corriente de drenaje de MOSFET en la región de saturación
​ LaTeX ​ Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia/2*(Voltaje de fuente de puerta-Voltaje umbral con polarización corporal cero)^2*(1+Factor de modulación de longitud del canal*Voltaje de la fuente de drenaje)
Frecuencia de ganancia unitaria MOSFET
​ LaTeX ​ Vamos Frecuencia de ganancia unitaria en MOSFET = Transconductancia en MOSFET/(Capacitancia de la fuente de puerta+Capacitancia de drenaje de compuerta)
Resistencia del canal
​ LaTeX ​ Vamos Resistencia del canal = Longitud del transistor/Ancho del transistor*1/(Movilidad electrónica*Densidad del portador)

Espesor de óxido equivalente Fórmula

​LaTeX ​Vamos
Espesor de óxido equivalente = Grosor del material*(3.9/Constante dieléctrica del material)
EOT = thigh-k*(3.9/khigh-k)
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