MCM de dos números

Calculadora Eficiencia de inyección del emisor dadas las constantes de dopaje

Ingenieria Financiero Física Mates Más >>

↳

Electrónica Ciencia de los Materiales Civil Eléctrico Más >>

⤿

Circuitos integrados (CI)Amplificadores Antena y propagación de ondas Comunicación digital Más >>

⤿

Fabricación de circuitos integrados bipolares Fabricación de circuitos integrados MOS Schmitt Trigger

✖El dopaje en el lado N se refiere al proceso de introducir tipos específicos de impurezas en la región semiconductora de tipo N de un dispositivo semiconductor.ⓘ Dopaje en el lado N [N_dn]			+10% -10%
✖El dopaje en el lado P se refiere al proceso de introducir tipos específicos de impurezas en la región semiconductora de tipo P de un dispositivo semiconductor.ⓘ Dopaje en el lado P [N_dp]			+10% -10%

✖La eficiencia de inyección del emisor es la relación entre la corriente de electrones que fluye en el emisor y la corriente total a través de la unión de la base del emisor.ⓘ Eficiencia de inyección del emisor dadas las constantes de dopaje [γ]

⎘ Copiar

👎

Fórmula

LaTeX

Reiniciar

👍

Descargar Circuitos integrados (CI) Fórmula PDF PDF Image

Eficiencia de inyección del emisor dadas las constantes de dopaje Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Eficiencia de inyección del emisor = Dopaje en el lado N/(Dopaje en el lado N+Dopaje en el lado P)
γ = N_dn/(N_dn+N_dp)
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

Eficiencia de inyección del emisor - La eficiencia de inyección del emisor es la relación entre la corriente de electrones que fluye en el emisor y la corriente total a través de la unión de la base del emisor.
Dopaje en el lado N - (Medido en 1 por metro cúbico) - El dopaje en el lado N se refiere al proceso de introducir tipos específicos de impurezas en la región semiconductora de tipo N de un dispositivo semiconductor.
Dopaje en el lado P - (Medido en 1 por metro cúbico) - El dopaje en el lado P se refiere al proceso de introducir tipos específicos de impurezas en la región semiconductora de tipo P de un dispositivo semiconductor.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Dopaje en el lado N: 4.8 1 por centímetro cúbico --> 4800000 1 por metro cúbico (Verifique la conversión aquí)
Dopaje en el lado P: 1.8 1 por centímetro cúbico --> 1800000 1 por metro cúbico (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

γ = N_dn/(N_dn+N_dp) --> 4800000/(4800000+1800000)

Evaluar ... ...

γ = 0.727272727272727

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.727272727272727 --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

0.727272727272727 ≈ 0.727273 <-- Eficiencia de inyección del emisor

(Cálculo completado en 00.006 segundos)

Aquí estás -

Inicio » Ingenieria » Electrónica » Circuitos integrados (CI) » Fabricación de circuitos integrados bipolares » Eficiencia de inyección del emisor dadas las constantes de dopaje

Créditos

Creado por banuprakash

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

¡banuprakash ha creado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

Verificada por Santhosh Yadav

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), banglore

¡Santhosh Yadav ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

< Fabricación de circuitos integrados bipolares Calculadoras

Conductividad de tipo N

LaTeX Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de equilibrio de tipo N+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*(Concentración intrínseca^2/Concentración de equilibrio de tipo N))

Conductividad óhmica de la impureza

LaTeX Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de electrones+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*Concentración de agujeros)

Impureza con concentración intrínseca

LaTeX Vamos Concentración intrínseca = sqrt((Concentración de electrones*Concentración de agujeros)/Impureza de temperatura)

Voltaje de ruptura del emisor colector

LaTeX Vamos Voltaje de ruptura del emisor del colector = Voltaje de ruptura de la base del colector/(Ganancia actual de BJT)^(1/Número raíz)