Eficiencia de inyección del emisor Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Eficiencia de inyección del emisor = Corriente del emisor/(Corriente del emisor debida a los electrones.+Corriente del emisor debido a los agujeros)
γ = IE/(IEe+IEh)
Esta fórmula usa 4 Variables
Variables utilizadas
Eficiencia de inyección del emisor - La eficiencia de inyección del emisor es la relación entre la corriente de electrones que fluye en el emisor y la corriente total a través de la unión de la base del emisor.
Corriente del emisor - (Medido en Amperio) - La corriente del emisor se refiere a la corriente que fluye entre los terminales del emisor y la base del transistor cuando está en funcionamiento.
Corriente del emisor debida a los electrones. - (Medido en Amperio) - La corriente del emisor debida a los electrones es la corriente máxima posible de portadores mayoritarios que fluyen hacia el emisor.
Corriente del emisor debido a los agujeros - (Medido en Amperio) - La Corriente del Emisor debido a los Agujeros es la máxima corriente posible de portadoras minoritarias inyectadas en la base.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Corriente del emisor: 0.008 Amperio --> 0.008 Amperio No se requiere conversión
Corriente del emisor debida a los electrones.: 0.005 Amperio --> 0.005 Amperio No se requiere conversión
Corriente del emisor debido a los agujeros: 0.006 Amperio --> 0.006 Amperio No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
γ = IE/(IEe+IEh) --> 0.008/(0.005+0.006)
Evaluar ... ...
γ = 0.727272727272727
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
0.727272727272727 --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
0.727272727272727 0.727273 <-- Eficiencia de inyección del emisor
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por banuprakash
Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore
¡banuprakash ha creado esta calculadora y 50+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por Santhosh Yadav
Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), banglore
¡Santhosh Yadav ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

Fabricación de circuitos integrados bipolares Calculadoras

Conductividad de tipo N
​ Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de equilibrio de tipo N+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*(Concentración intrínseca^2/Concentración de equilibrio de tipo N))
Conductividad óhmica de la impureza
​ Vamos Conductividad óhmica = Cargar*(Movilidad del silicio con dopaje electrónico*Concentración de electrones+Movilidad de silicio con dopaje de orificios*Concentración de agujeros)
Impureza con concentración intrínseca
​ Vamos Concentración intrínseca = sqrt((Concentración de electrones*Concentración de agujeros)/Impureza de temperatura)
Voltaje de ruptura del emisor colector
​ Vamos Voltaje de ruptura del emisor del colector = Voltaje de ruptura de la base del colector/(Ganancia actual de BJT)^(1/Número raíz)

Eficiencia de inyección del emisor Fórmula

Eficiencia de inyección del emisor = Corriente del emisor/(Corriente del emisor debida a los electrones.+Corriente del emisor debido a los agujeros)
γ = IE/(IEe+IEh)
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