Calculadora Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS

✖La movilidad de los electrones en la superficie del canal se refiere a la capacidad de los electrones para moverse o conducir dentro de la capa superficial de un material cuando se someten a un campo eléctrico.ⓘ Movilidad de los electrones en la superficie del canal [μ_n]			+10% -10%
✖El campo eléctrico a lo largo del canal es la fuerza por unidad de carga que experimenta una partícula a medida que se mueve a través del canal.ⓘ Campo eléctrico a lo largo del canal [E_L]			+10% -10%

✖La velocidad de deriva de electrones se debe al campo eléctrico que, a su vez, hace que los electrones del canal se desplacen hacia el drenaje con una velocidad.ⓘ Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS [v_d]

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Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Velocidad de deriva de electrones = Movilidad de los electrones en la superficie del canal*Campo eléctrico a lo largo del canal
v_d = μ_n*E_L
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

Velocidad de deriva de electrones - (Medido en Metro por Segundo) - La velocidad de deriva de electrones se debe al campo eléctrico que, a su vez, hace que los electrones del canal se desplacen hacia el drenaje con una velocidad.
Movilidad de los electrones en la superficie del canal - (Medido en Metro cuadrado por voltio por segundo) - La movilidad de los electrones en la superficie del canal se refiere a la capacidad de los electrones para moverse o conducir dentro de la capa superficial de un material cuando se someten a un campo eléctrico.
Campo eléctrico a lo largo del canal - (Medido en Voltio) - El campo eléctrico a lo largo del canal es la fuerza por unidad de carga que experimenta una partícula a medida que se mueve a través del canal.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Movilidad de los electrones en la superficie del canal: 2.2 Metro cuadrado por voltio por segundo --> 2.2 Metro cuadrado por voltio por segundo No se requiere conversión
Campo eléctrico a lo largo del canal: 10.6 Voltio --> 10.6 Voltio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

v_d = μ_n*E_L --> 2.2*10.6

Evaluar ... ...

v_d = 23.32

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

23.32 Metro por Segundo --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

23.32 Metro por Segundo <-- Velocidad de deriva de electrones

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

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Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS

LaTeX Vamos Velocidad de deriva de electrones = Movilidad de los electrones en la superficie del canal*Campo eléctrico a lo largo del canal

Velocidad de deriva de electrones del canal en el transistor NMOS Fórmula

LaTeX Vamos

Velocidad de deriva de electrones = Movilidad de los electrones en la superficie del canal*Campo eléctrico a lo largo del canal
v_d = μ_n*E_L

Explique el funcionamiento del transistor NMOS.

Un transistor NMOS con el voltaje a través de la fuente de gas> voltaje umbral y con un pequeño voltaje entre el drenaje y la fuente aplicada. El dispositivo actúa como una resistencia cuyo valor está determinado por el voltaje en la fuente de gas. Específicamente, la conductancia del canal es proporcional al voltaje a través de la fuente de gas - voltaje de umbral y, por lo tanto, Id es proporcional al voltaje (voltaje a través de la fuente de gas - voltaje de umbral) entre el drenaje y la fuente

¿Qué es la movilidad del electrón en el canal?

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