Longitud efectiva del canal Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Longitud efectiva del canal = Longitud de unión PN-Ancho de la región de agotamiento
Leff = Lpn-Ld
Esta fórmula usa 3 Variables
Variables utilizadas
Longitud efectiva del canal - (Medido en Metro) - La longitud efectiva del canal se define como el camino que une los portadores de carga entre el drenaje y la fuente.
Longitud de unión PN - (Medido en Metro) - La longitud de la unión PN se define como la longitud total de la unión desde el lado p al lado n en un semiconductor.
Ancho de la región de agotamiento - (Medido en Metro) - El ancho de la región de agotamiento en un diodo de Si típico varía desde una fracción de micrómetro hasta decenas de micrómetros, según la geometría del dispositivo, el perfil de dopaje y la polarización externa.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Longitud de unión PN: 19 Milímetro --> 0.019 Metro (Verifique la conversión ​aquí)
Ancho de la región de agotamiento: 11.01 Milímetro --> 0.01101 Metro (Verifique la conversión ​aquí)
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Leff = Lpn-Ld --> 0.019-0.01101
Evaluar ... ...
Leff = 0.00799
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
0.00799 Metro -->7.99 Milímetro (Verifique la conversión ​aquí)
RESPUESTA FINAL
7.99 Milímetro <-- Longitud efectiva del canal
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Shobhit Dimri
Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por Urvi Rathod
Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

Características del circuito CMOS Calculadoras

Ancho de difusión de la fuente
​ LaTeX ​ Vamos Ancho de transición = Área de difusión de fuentes/Longitud de la fuente
Área de difusión de fuentes
​ LaTeX ​ Vamos Área de difusión de fuentes = Longitud de la fuente*Ancho de transición
CMOS significa ruta libre
​ LaTeX ​ Vamos Camino libre medio = Voltaje crítico en CMOS/Campo eléctrico crítico
Voltaje crítico CMOS
​ LaTeX ​ Vamos Voltaje crítico en CMOS = Campo eléctrico crítico*Camino libre medio

Longitud efectiva del canal Fórmula

​LaTeX ​Vamos
Longitud efectiva del canal = Longitud de unión PN-Ancho de la región de agotamiento
Leff = Lpn-Ld

¿Cuál es el significado de la longitud del canal?

Idealmente, Ids es independiente de Vds para un transistor en saturación, lo que hace que el transistor sea una fuente de corriente perfecta. la unión p-n entre el drenaje y el cuerpo forma una región de agotamiento con un ancho Ld que aumenta con Vdb, por lo que la región de agotamiento efectivamente acorta la longitud del canal.

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