Densidad de corriente de deriva debido a electrones libres Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Densidad de corriente de deriva debido a electrones = [Charge-e]*Concentración de electrones*Movilidad electrónica*Intensidad del campo eléctrico
Jn = [Charge-e]*n*μn*Ei
Esta fórmula usa 1 Constantes, 4 Variables
Constantes utilizadas
[Charge-e] - carga de electrones Valor tomado como 1.60217662E-19
Variables utilizadas
Densidad de corriente de deriva debido a electrones - (Medido en Amperio) - La densidad de corriente de deriva debida a electrones se refiere al movimiento de portadores de carga (electrones) en un material semiconductor bajo la influencia de un campo eléctrico.
Concentración de electrones - (Medido en Electrones por metro cúbico) - La concentración de electrones se refiere al número de electrones por unidad de volumen en un material.
Movilidad electrónica - (Medido en Metro cuadrado por voltio por segundo) - La movilidad electrónica describe la rapidez con la que los electrones pueden moverse a través del material en respuesta a un campo eléctrico.
Intensidad del campo eléctrico - (Medido en voltios por metro) - La intensidad del campo eléctrico es una cantidad vectorial que representa la fuerza experimentada por una carga de prueba positiva en un punto determinado del espacio debido a la presencia de otras cargas.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Concentración de electrones: 1000000 Electrones por centímetro cúbico --> 1000000000000 Electrones por metro cúbico (Verifique la conversión ​aquí)
Movilidad electrónica: 30 Metro cuadrado por voltio por segundo --> 30 Metro cuadrado por voltio por segundo No se requiere conversión
Intensidad del campo eléctrico: 11.2 voltios por metro --> 11.2 voltios por metro No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Jn = [Charge-e]*n*μn*Ei --> [Charge-e]*1000000000000*30*11.2
Evaluar ... ...
Jn = 5.3833134432E-05
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
5.3833134432E-05 Amperio -->53.833134432 Microamperio (Verifique la conversión ​aquí)
RESPUESTA FINAL
53.833134432 53.83313 Microamperio <-- Densidad de corriente de deriva debido a electrones
(Cálculo completado en 00.023 segundos)

Créditos

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Creado por banuprakash
Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore
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Verificada por Santhosh Yadav
Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), banglore
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Fabricación de circuitos integrados MOS Calculadoras

Efecto corporal en MOSFET
​ LaTeX ​ Vamos Voltaje umbral con sustrato = Voltaje umbral con polarización corporal cero+Parámetro de efecto corporal*(sqrt(2*Potencial de Fermi a granel+Voltaje aplicado al cuerpo)-sqrt(2*Potencial de Fermi a granel))
Corriente de drenaje de MOSFET en la región de saturación
​ LaTeX ​ Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia/2*(Voltaje de fuente de puerta-Voltaje umbral con polarización corporal cero)^2*(1+Factor de modulación de longitud del canal*Voltaje de la fuente de drenaje)
Frecuencia de ganancia unitaria MOSFET
​ LaTeX ​ Vamos Frecuencia de ganancia unitaria en MOSFET = Transconductancia en MOSFET/(Capacitancia de la fuente de puerta+Capacitancia de drenaje de compuerta)
Resistencia del canal
​ LaTeX ​ Vamos Resistencia del canal = Longitud del transistor/Ancho del transistor*1/(Movilidad electrónica*Densidad del portador)

Densidad de corriente de deriva debido a electrones libres Fórmula

​LaTeX ​Vamos
Densidad de corriente de deriva debido a electrones = [Charge-e]*Concentración de electrones*Movilidad electrónica*Intensidad del campo eléctrico
Jn = [Charge-e]*n*μn*Ei
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