Densidad de corriente de deriva debido a agujeros Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Densidad de corriente de deriva debido a agujeros = [Charge-e]*Concentración de agujeros*Movilidad del agujero*Intensidad del campo eléctrico
Jp = [Charge-e]*p*μp*Ei
Esta fórmula usa 1 Constantes, 4 Variables
Constantes utilizadas
[Charge-e] - carga de electrones Valor tomado como 1.60217662E-19
Variables utilizadas
Densidad de corriente de deriva debido a agujeros - (Medido en Amperio por metro cuadrado) - La densidad de corriente de deriva debido a los agujeros se refiere al movimiento de los portadores de carga (agujeros) en un material semiconductor bajo la influencia de un campo eléctrico.
Concentración de agujeros - (Medido en Electrones por metro cúbico) - La concentración de huecos se refiere al número de electrones por unidad de volumen en un material.
Movilidad del agujero - (Medido en Metro cuadrado por voltio por segundo) - La movilidad de los agujeros representa la capacidad de estos portadores de carga para moverse en respuesta a un campo eléctrico.
Intensidad del campo eléctrico - (Medido en voltios por metro) - La intensidad del campo eléctrico es una cantidad vectorial que representa la fuerza experimentada por una carga de prueba positiva en un punto determinado del espacio debido a la presencia de otras cargas.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Concentración de agujeros: 1E+20 Electrones por metro cúbico --> 1E+20 Electrones por metro cúbico No se requiere conversión
Movilidad del agujero: 400 Metro cuadrado por voltio por segundo --> 400 Metro cuadrado por voltio por segundo No se requiere conversión
Intensidad del campo eléctrico: 11.2 voltios por metro --> 11.2 voltios por metro No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Jp = [Charge-e]*p*μp*Ei --> [Charge-e]*1E+20*400*11.2
Evaluar ... ...
Jp = 71777.512576
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
71777.512576 Amperio por metro cuadrado -->0.071777512576 Amperio por milímetro cuadrado (Verifique la conversión ​aquí)
RESPUESTA FINAL
0.071777512576 0.071778 Amperio por milímetro cuadrado <-- Densidad de corriente de deriva debido a agujeros
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

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Creado por banuprakash
Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore
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Verificada por Santhosh Yadav
Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), banglore
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Fabricación de circuitos integrados MOS Calculadoras

Efecto corporal en MOSFET
​ LaTeX ​ Vamos Voltaje umbral con sustrato = Voltaje umbral con polarización corporal cero+Parámetro de efecto corporal*(sqrt(2*Potencial de Fermi a granel+Voltaje aplicado al cuerpo)-sqrt(2*Potencial de Fermi a granel))
Corriente de drenaje de MOSFET en la región de saturación
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Frecuencia de ganancia unitaria MOSFET
​ LaTeX ​ Vamos Frecuencia de ganancia unitaria en MOSFET = Transconductancia en MOSFET/(Capacitancia de la fuente de puerta+Capacitancia de drenaje de compuerta)
Resistencia del canal
​ LaTeX ​ Vamos Resistencia del canal = Longitud del transistor/Ancho del transistor*1/(Movilidad electrónica*Densidad del portador)

Densidad de corriente de deriva debido a agujeros Fórmula

​LaTeX ​Vamos
Densidad de corriente de deriva debido a agujeros = [Charge-e]*Concentración de agujeros*Movilidad del agujero*Intensidad del campo eléctrico
Jp = [Charge-e]*p*μp*Ei
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