Calculadora Drenar la corriente de saturación de MOSFET

✖La transconductancia del proceso en PMOS se refiere a la ganancia de un transistor PMOS con respecto a su voltaje de fuente de puerta.ⓘ Proceso de transconductancia en PMOS [k'_p]			+10% -10%
✖El ancho del canal se refiere al rango de frecuencias utilizadas para transmitir datos a través de un canal de comunicación inalámbrica. También se le conoce como ancho de banda y se mide en hercios (Hz).ⓘ Ancho de banda [W_c]			+10% -10%
✖La longitud del canal se refiere a la distancia entre los terminales de fuente y drenaje en un transistor de efecto de campo (FET).ⓘ Longitud del canal [L]			+10% -10%
✖El voltaje efectivo en un MOSFET (transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico) es el voltaje que determina el comportamiento del dispositivo. También se conoce como voltaje puerta-fuente.ⓘ Voltaje efectivo [V_eff]			+10% -10%

✖La corriente de drenaje de saturación es un parámetro importante en el diseñoⓘ Drenar la corriente de saturación de MOSFET [I_d(sat)]

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Drenar la corriente de saturación de MOSFET Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Proceso de transconductancia en PMOS*Ancho de banda/Longitud del canal*(Voltaje efectivo)^2
I_d(sat) = 1/2*k'_p*W_c/L*(V_eff)^2
Esta fórmula usa 5 Variables

Variables utilizadas

Corriente de drenaje de saturación - (Medido en Amperio) - La corriente de drenaje de saturación es un parámetro importante en el diseño
Proceso de transconductancia en PMOS - (Medido en Siemens) - La transconductancia del proceso en PMOS se refiere a la ganancia de un transistor PMOS con respecto a su voltaje de fuente de puerta.
Ancho de banda - (Medido en Metro) - El ancho del canal se refiere al rango de frecuencias utilizadas para transmitir datos a través de un canal de comunicación inalámbrica. También se le conoce como ancho de banda y se mide en hercios (Hz).
Longitud del canal - (Medido en Metro) - La longitud del canal se refiere a la distancia entre los terminales de fuente y drenaje en un transistor de efecto de campo (FET).
Voltaje efectivo - (Medido en Voltio) - El voltaje efectivo en un MOSFET (transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico) es el voltaje que determina el comportamiento del dispositivo. También se conoce como voltaje puerta-fuente.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Proceso de transconductancia en PMOS: 0.58 milisiemens --> 0.00058 Siemens (Verifique la conversión aquí)
Ancho de banda: 10 Micrómetro --> 1E-05 Metro (Verifique la conversión aquí)
Longitud del canal: 100 Micrómetro --> 0.0001 Metro (Verifique la conversión aquí)
Voltaje efectivo: 1.7 Voltio --> 1.7 Voltio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

I_d(sat) = 1/2*k'_p*W_c/L*(V_eff)^2 --> 1/2*0.00058*1E-05/0.0001*(1.7)^2

Evaluar ... ...

I_d(sat) = 8.381E-05

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

8.381E-05 Amperio -->0.08381 Miliamperio (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

0.08381 Miliamperio <-- Corriente de drenaje de saturación

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

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Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

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Segunda corriente de drenaje de MOSFET en operación de señal grande

LaTeX Vamos Corriente de drenaje 2 = Corriente de polarización de CC/2-Corriente de polarización de CC/Voltaje de sobremarcha*Señal de entrada diferencial/2*sqrt(1-(Señal de entrada diferencial)^2/(4*Voltaje de sobremarcha^2))

Primera corriente de drenaje de MOSFET en operación de señal grande

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Primera corriente de drenaje de MOSFET en operación de señal grande dado voltaje de sobremarcha

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Drenar corriente de MOSFET en operación de señal grande dado voltaje de sobremarcha

LaTeX Vamos Corriente de drenaje = (Corriente de polarización de CC/Voltaje de sobremarcha)*(Señal de entrada diferencial/2)

Drenar la corriente de saturación de MOSFET Fórmula

LaTeX Vamos

Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Proceso de transconductancia en PMOS*Ancho de banda/Longitud del canal*(Voltaje efectivo)^2
I_d(sat) = 1/2*k'_p*W_c/L*(V_eff)^2

¿Qué es la corriente de saturación de drenaje?

Una capa de agotamiento ubicada en el extremo de drenaje de la puerta acomoda el voltaje adicional de drenaje a fuente. Este comportamiento se conoce como saturación de corriente de drenaje. El modelo cuadrático explica las características típicas de corriente-voltaje de un MOSFET, que normalmente se trazan para diferentes voltajes de puerta a fuente.

¿Cuánta corriente puede manejar un MOSFET?

Los MOSFET de alto amperaje como el 511-STP200N3LL dicen que pueden manejar 120 amperios de corriente. El transistor de efecto de campo semiconductor de óxido de metal, o MOSFET para abreviar, tiene una resistencia de puerta de entrada extremadamente alta con la corriente que fluye a través del canal entre la fuente y el drenaje está controlada por el voltaje de la puerta.

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