Resistencia al drenaje de MESFET Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Resistencia al drenaje = ((4*Frecuencia máxima de oscilaciones^2)/Frecuencia de corte^2)*(Resistencia de la fuente+Resistencia a la metalización de la puerta+Resistencia de entrada)
Rd = ((4*fm^2)/fco^2)*(Rs+Rg+Ri)
Esta fórmula usa 6 Variables
Variables utilizadas
Resistencia al drenaje - (Medido en Ohm) - La resistencia de drenaje es la relación entre el cambio en el voltaje de drenaje a fuente y el cambio correspondiente en la corriente de drenaje para una tensión de puerta a fuente constante.
Frecuencia máxima de oscilaciones - (Medido en hercios) - La frecuencia máxima de oscilaciones se define como el límite superior práctico para el funcionamiento útil del circuito con MESFET.
Frecuencia de corte - (Medido en hercios) - La frecuencia de corte se define como la frecuencia de esquina, es un límite en la respuesta de frecuencia del sistema en el que la energía que fluye a través del sistema comienza a reducirse en lugar de atravesarlo.
Resistencia de la fuente - (Medido en Ohm) - La resistencia de la fuente es una medida de cuánto se opone esta fuente a que la carga extraiga corriente de ella.
Resistencia a la metalización de la puerta - (Medido en Ohm) - La resistencia a la metalización de la puerta se define como la resistencia de metalización de una franja de puerta FET que tiene el efecto de colocar una resistencia no lineal en serie con la unión de la puerta.
Resistencia de entrada - (Medido en Ohm) - La resistencia de entrada se define como la resistencia interna total experimentada por MESFET.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Frecuencia máxima de oscilaciones: 65 hercios --> 65 hercios No se requiere conversión
Frecuencia de corte: 30.05 hercios --> 30.05 hercios No se requiere conversión
Resistencia de la fuente: 5.75 Ohm --> 5.75 Ohm No se requiere conversión
Resistencia a la metalización de la puerta: 2.8 Ohm --> 2.8 Ohm No se requiere conversión
Resistencia de entrada: 15.5 Ohm --> 15.5 Ohm No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Rd = ((4*fm^2)/fco^2)*(Rs+Rg+Ri) --> ((4*65^2)/30.05^2)*(5.75+2.8+15.5)
Evaluar ... ...
Rd = 450.103958737656
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
450.103958737656 Ohm --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
450.103958737656 450.104 Ohm <-- Resistencia al drenaje
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Shobhit Dimri
Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por Urvi Rathod
Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

Características MESFET Calculadoras

Capacitancia de la fuente de puerta
​ LaTeX ​ Vamos Capacitancia de la fuente de puerta = Transconductancia/(2*pi*Frecuencia de corte)
Transconductancia en MESFET
​ LaTeX ​ Vamos Transconductancia = 2*Capacitancia de la fuente de puerta*pi*Frecuencia de corte
Longitud de la puerta de MESFET
​ LaTeX ​ Vamos Longitud de la puerta = Velocidad de deriva saturada/(4*pi*Frecuencia de corte)
Frecuencia de corte
​ LaTeX ​ Vamos Frecuencia de corte = Velocidad de deriva saturada/(4*pi*Longitud de la puerta)

Resistencia al drenaje de MESFET Fórmula

​LaTeX ​Vamos
Resistencia al drenaje = ((4*Frecuencia máxima de oscilaciones^2)/Frecuencia de corte^2)*(Resistencia de la fuente+Resistencia a la metalización de la puerta+Resistencia de entrada)
Rd = ((4*fm^2)/fco^2)*(Rs+Rg+Ri)

¿Qué es MESFET?

Un MESFET (transistor de efecto de campo de semiconductor de metal) es un dispositivo semiconductor de transistor de efecto de campo similar a un JFET con una unión Schottky (semiconductor de metal) en lugar de una unión ap-n para una puerta.

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