Calculadora Resistencia de salida de drenaje

✖Ruta libre media de electrones, que representa la distancia promedio que un electrón puede viajar sin dispersarse con impurezas, vencerse u otros obstáculos dentro del dispositivo de estado sólido.ⓘ Trayectoria libre media de electrones [λ]			+10% -10%
✖La corriente de drenaje es la corriente que fluye entre los terminales de drenaje y fuente de un transistor de efecto de campo (FET), que es un tipo de transistor comúnmente utilizado en circuitos electrónicos.ⓘ Corriente de drenaje [i_d]			+10% -10%

✖La resistencia de salida se refiere a la resistencia de un circuito electrónico al flujo de corriente cuando se conecta una carga a su salida.ⓘ Resistencia de salida de drenaje [R_out]

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Resistencia de salida de drenaje Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Resistencia de salida = 1/(Trayectoria libre media de electrones*Corriente de drenaje)
R_out = 1/(λ*i_d)
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

Resistencia de salida - (Medido en Ohm) - La resistencia de salida se refiere a la resistencia de un circuito electrónico al flujo de corriente cuando se conecta una carga a su salida.
Trayectoria libre media de electrones - Ruta libre media de electrones, que representa la distancia promedio que un electrón puede viajar sin dispersarse con impurezas, vencerse u otros obstáculos dentro del dispositivo de estado sólido.
Corriente de drenaje - (Medido en Amperio) - La corriente de drenaje es la corriente que fluye entre los terminales de drenaje y fuente de un transistor de efecto de campo (FET), que es un tipo de transistor comúnmente utilizado en circuitos electrónicos.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Trayectoria libre media de electrones: 2.78 --> No se requiere conversión
Corriente de drenaje: 0.08 Miliamperio --> 8E-05 Amperio (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

R_out = 1/(λ*i_d) --> 1/(2.78*8E-05)

Evaluar ... ...

R_out = 4496.40287769784

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

4496.40287769784 Ohm -->4.49640287769784 kilohmios (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

4.49640287769784 ≈ 4.496403 kilohmios <-- Resistencia de salida

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

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MOSFET como resistencia lineal dada la relación de aspecto

LaTeX Vamos Resistencia lineal = Longitud del canal/(Movilidad de electrones en la superficie del canal.*Capacitancia de óxido*Ancho de banda*Voltaje efectivo)

Resistencia finita entre drenaje y fuente

LaTeX Vamos Resistencia finita = modulus(Voltaje CC positivo)/Corriente de drenaje

Trayectoria libre media de electrones

LaTeX Vamos Trayectoria libre media de electrones = 1/(Resistencia de salida*Corriente de drenaje)

Resistencia de salida de drenaje

LaTeX Vamos Resistencia de salida = 1/(Trayectoria libre media de electrones*Corriente de drenaje)

Resistencia de salida de drenaje Fórmula

LaTeX Vamos

Resistencia de salida = 1/(Trayectoria libre media de electrones*Corriente de drenaje)
R_out = 1/(λ*i_d)

¿Cuál es el uso de la transconductancia en MOSFET?

La transconductancia es una expresión del rendimiento de un transistor bipolar o transistor de efecto de campo (FET). En general, cuanto mayor es la cifra de transconductancia de un dispositivo, mayor es la ganancia (amplificación) que es capaz de entregar, cuando todos los demás factores se mantienen constantes.

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