Calculadora Corriente de drenaje sin modulación de longitud de canal de MOSFET

Corriente de drenaje = 1/2*Proceso de transconductancia en PMOS*Relación de aspecto*(Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral)^2
i_d = 1/2*k'_p*WL*(V_gs-V_th)^2
Esta fórmula usa 5 Variables
Corriente de drenaje - (Medido en Amperio) - La corriente de drenaje es la corriente que fluye entre los terminales de drenaje y fuente de un transistor de efecto de campo (FET), que es un tipo de transistor comúnmente utilizado en circuitos electrónicos.
Proceso de transconductancia en PMOS - (Medido en Siemens) - La transconductancia del proceso en PMOS se refiere a la ganancia de un transistor PMOS con respecto a su voltaje de fuente de puerta.
Relación de aspecto - La relación de aspecto se define como la relación entre el ancho del canal del transistor y su longitud. Es la relación entre el ancho de la puerta y la distancia entre la fuente
Voltaje puerta-fuente - (Medido en Voltio) - El voltaje de la fuente de puerta es un parámetro crítico que afecta el funcionamiento de un FET y, a menudo, se usa para controlar el comportamiento del dispositivo.
Voltaje de umbral - (Medido en Voltio) - El voltaje de umbral, también conocido como voltaje de umbral de puerta o simplemente Vth, es un parámetro crítico en el funcionamiento de los transistores de efecto de campo, que son componentes fundamentales en la electrónica moderna.

(Cálculo completado en 00.035 segundos)