Calculadora Corriente de drenaje de MOSFET en la región de saturación

Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia/2*(Voltaje de fuente de puerta-Voltaje umbral con polarización corporal cero)^2*(1+Factor de modulación de longitud del canal*Voltaje de la fuente de drenaje)
I_d = β/2*(V_gs-V_th)^2*(1+λ_i*V_ds)
Esta fórmula usa 6 Variables
Corriente de drenaje - (Medido en Amperio) - La corriente de drenaje se refiere a la corriente que fluye entre los terminales de fuente y drenaje del transistor cuando está en funcionamiento.
Parámetro de transconductancia - (Medido en Siemens) - El parámetro de transconductancia se define como la relación entre el cambio en la corriente de salida y el cambio en el voltaje de entrada de un dispositivo.
Voltaje de fuente de puerta - (Medido en Voltio) - El voltaje de la fuente de la puerta se refiere a la diferencia de potencial entre el terminal de la puerta y el terminal de la fuente del dispositivo. Este voltaje juega un papel crucial en el control de la conductividad del MOSFET.
Voltaje umbral con polarización corporal cero - (Medido en Voltio) - El voltaje umbral con polarización corporal cero se refiere al voltaje umbral cuando no se aplica ninguna polarización externa al sustrato semiconductor (terminal del cuerpo).
Factor de modulación de longitud del canal - Factor de modulación de la longitud del canal donde la longitud efectiva del canal aumenta con un aumento en el voltaje drenaje-fuente.
Voltaje de la fuente de drenaje - (Medido en Voltio) - El voltaje de la fuente de drenaje es el voltaje entre el terminal de fuente y drenaje.

(Cálculo completado en 00.004 segundos)