Calculadora Drenar corriente en la región de saturación en el transistor MOS

✖El ancho del canal representa el ancho del canal conductor dentro de un MOSFET, lo que afecta directamente la cantidad de corriente que puede manejar.ⓘ Ancho de banda [W]			+10% -10%
✖La velocidad de deriva de electrones de saturación representa la velocidad de deriva de electrones en la saturación en un MOSFET que se encuentra en campos eléctricos bajos.ⓘ Velocidad de deriva de electrones de saturación [V_d(sat)]			+10% -10%
✖Una carga es la propiedad fundamental de formas de materia que exhiben atracción o repulsión electrostática en presencia de otra materia.ⓘ Cobrar [q]			+10% -10%
✖El parámetro de canal corto es un parámetro (potencialmente específico del modelo) que se utiliza para describir una característica de la región del canal en un MOSFET de canal corto.ⓘ Parámetro de canal corto [n_x]			+10% -10%
✖La longitud efectiva del canal es la parte del canal que conduce activamente la corriente cuando el transistor está funcionando.ⓘ Longitud efectiva del canal [L_eff]			+10% -10%

✖La corriente de drenaje de la región de saturación es la corriente que fluye desde el terminal de drenaje al terminal de fuente cuando el transistor está funcionando en un modo específico.ⓘ Drenar corriente en la región de saturación en el transistor MOS [I_D(sat)]

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Fórmula

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Drenar corriente en la región de saturación en el transistor MOS

Fórmula

I D(sat) = W \cdot V d(sat) \cdot \int (q \cdot n x, x, 0, L eff)

Ejemplo

184.2744 A = 2.678 m \cdot 5.773 m/s \cdot \int (0.3 C \cdot 5.12, x, 0, 7.76 m)

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Drenar corriente en la región de saturación en el transistor MOS Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Corriente de drenaje de la región de saturación = Ancho de banda*Velocidad de deriva de electrones de saturación*int(Cobrar*Parámetro de canal corto,x,0,Longitud efectiva del canal)
I_D(sat) = W*V_d(sat)*int(q*n_x,x,0,L_eff)
Esta fórmula usa 1 Funciones, 6 Variables

Funciones utilizadas

int - La integral definida se puede utilizar para calcular el área neta con signo, que es el área sobre el eje x menos el área debajo del eje x., int(expr, arg, from, to)

Variables utilizadas

Corriente de drenaje de la región de saturación - (Medido en Amperio) - La corriente de drenaje de la región de saturación es la corriente que fluye desde el terminal de drenaje al terminal de fuente cuando el transistor está funcionando en un modo específico.
Ancho de banda - (Medido en Metro) - El ancho del canal representa el ancho del canal conductor dentro de un MOSFET, lo que afecta directamente la cantidad de corriente que puede manejar.
Velocidad de deriva de electrones de saturación - (Medido en Metro por Segundo) - La velocidad de deriva de electrones de saturación representa la velocidad de deriva de electrones en la saturación en un MOSFET que se encuentra en campos eléctricos bajos.
Cobrar - (Medido en Culombio) - Una carga es la propiedad fundamental de formas de materia que exhiben atracción o repulsión electrostática en presencia de otra materia.
Parámetro de canal corto - El parámetro de canal corto es un parámetro (potencialmente específico del modelo) que se utiliza para describir una característica de la región del canal en un MOSFET de canal corto.
Longitud efectiva del canal - (Medido en Metro) - La longitud efectiva del canal es la parte del canal que conduce activamente la corriente cuando el transistor está funcionando.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Ancho de banda: 2.678 Metro --> 2.678 Metro No se requiere conversión
Velocidad de deriva de electrones de saturación: 5.773 Metro por Segundo --> 5.773 Metro por Segundo No se requiere conversión
Cobrar: 0.3 Culombio --> 0.3 Culombio No se requiere conversión
Parámetro de canal corto: 5.12 --> No se requiere conversión
Longitud efectiva del canal: 7.76 Metro --> 7.76 Metro No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

I_D(sat) = W*V_d(sat)*int(q*n_x,x,0,L_eff) --> 2.678*5.773*int(0.3*5.12,x,0,7.76)

Evaluar ... ...

I_D(sat) = 184.27442601984

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

184.27442601984 Amperio --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

184.27442601984 ≈ 184.2744 Amperio <-- Corriente de drenaje de la región de saturación

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Vignesh Naidu

Instituto de Tecnología de Vellore (VIT), Vellore, Tamil Nadu

¡Vignesh Naidu ha creado esta calculadora y 10+ más calculadoras!

Verificada por Dipanjona Mallick

Instituto Tecnológico del Patrimonio (hitk), Calcuta

¡Dipanjona Mallick ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

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Factor de equivalencia de voltaje de pared lateral

Vamos Factor de equivalencia de voltaje de pared lateral = -(2*sqrt(Potencial incorporado de uniones de paredes laterales)/(Voltaje final-Voltaje inicial)*(sqrt(Potencial incorporado de uniones de paredes laterales-Voltaje final)-sqrt(Potencial incorporado de uniones de paredes laterales-Voltaje inicial)))

Potencial de Fermi para el tipo P

Vamos Potencial de Fermi para el tipo P = ([BoltZ]*Temperatura absoluta)/[Charge-e]*ln(Concentración de portador intrínseco/Concentración de dopaje del aceptor)

Capacitancia equivalente de unión de señal grande

Vamos Capacitancia equivalente de unión de señal grande = Perímetro de la pared lateral*Capacitancia de unión de pared lateral*Factor de equivalencia de voltaje de pared lateral

Capacitancia de unión de pared lateral de polarización cero por unidad de longitud

Vamos Capacitancia de unión de pared lateral = Potencial de unión de pared lateral de polarización cero*Profundidad de la pared lateral

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