Calculadora La corriente de drenaje dado que NMOS funciona como fuente de corriente controlada por voltaje

✖El parámetro de transconductancia de proceso en PMOS (PTM) es un parámetro utilizado en el modelado de dispositivos semiconductores para caracterizar el rendimiento de un transistor.ⓘ Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS [k'_p]			+10% -10%
✖La relación de aspecto se define como la relación entre el ancho del canal del transistor y su longitud. Es la relación entre el ancho de la puerta y la distancia entre la fuenteⓘ Relación de aspecto [WL]			+10% -10%

✖El parámetro de transconductancia es un parámetro crucial en los dispositivos y circuitos electrónicos, que ayuda a describir y cuantificar la relación de entrada-salida entre el voltaje y la corriente.ⓘ La corriente de drenaje dado que NMOS funciona como fuente de corriente controlada por voltaje [k_n]

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La corriente de drenaje dado que NMOS funciona como fuente de corriente controlada por voltaje Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Parámetro de transconductancia = Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto
k_n = k'_p*WL
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

Parámetro de transconductancia - (Medido en Amperio por voltio cuadrado) - El parámetro de transconductancia es un parámetro crucial en los dispositivos y circuitos electrónicos, que ayuda a describir y cuantificar la relación de entrada-salida entre el voltaje y la corriente.
Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS - (Medido en Siemens) - El parámetro de transconductancia de proceso en PMOS (PTM) es un parámetro utilizado en el modelado de dispositivos semiconductores para caracterizar el rendimiento de un transistor.
Relación de aspecto - La relación de aspecto se define como la relación entre el ancho del canal del transistor y su longitud. Es la relación entre el ancho de la puerta y la distancia entre la fuente

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS: 2.1 milisiemens --> 0.0021 Siemens (Verifique la conversión aquí)
Relación de aspecto: 0.1 --> No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

k_n = k'_p*WL --> 0.0021*0.1

Evaluar ... ...

k_n = 0.00021

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.00021 Amperio por voltio cuadrado --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

0.00021 Amperio por voltio cuadrado <-- Parámetro de transconductancia

(Cálculo completado en 00.020 segundos)

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Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

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Fuente de drenaje de entrada actual en la región triodo de NMOS

LaTeX Vamos Drenar corriente en NMOS = Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS*Ancho de canal/Longitud del Canal*((Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral)*Voltaje de la fuente de drenaje-1/2*(Voltaje de la fuente de drenaje)^2)

Terminal de drenaje de entrada de corriente de NMOS dado el voltaje de la fuente de la puerta

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La corriente de drenaje dado que NMOS funciona como fuente de corriente controlada por voltaje Fórmula

LaTeX Vamos

Parámetro de transconductancia = Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto
k_n = k'_p*WL

¿Para qué se utiliza un MOSFET?

El transistor MOSFET (Transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico) es un dispositivo semiconductor que se usa ampliamente para fines de conmutación y para la amplificación de señales electrónicas en dispositivos electrónicos.

¿Cuáles son los tipos de MOSFET?

Hay dos clases de MOSFET. Hay un modo de agotamiento y un modo de mejora. Cada clase está disponible como canal n o p, lo que da un total de cuatro tipos de MOSFET. El modo de agotamiento viene en una N o una P y un modo de mejora viene en una N o una P.

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