Calculadora Drenar la corriente de la fuente al drenaje

Corriente de drenaje = (Ancho de la unión*Carga de capa de inversión*Movilidad de agujeros en canal*Componente horizontal del campo eléctrico en el canal)
I_d = (W*Q_p*μ_p*E_y)
Esta fórmula usa 5 Variables
Corriente de drenaje - (Medido en Amperio) - La corriente de drenaje es la corriente eléctrica que fluye desde el drenaje hasta la fuente de un transistor de efecto de campo (FET) o un transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal (MOSFET).
Ancho de la unión - (Medido en Metro) - El ancho de la unión es el parámetro que indica el ancho de la unión base de cualquier elemento electrónico analógico.
Carga de capa de inversión - (Medido en culombio por metro cuadrado) - La carga de la capa de inversión se refiere a la acumulación de portadores de carga en la interfaz entre el semiconductor y la capa de óxido aislante cuando se aplica un voltaje al electrodo de puerta.
Movilidad de agujeros en canal - (Medido en Metro cuadrado por voltio por segundo) - La movilidad de los agujeros en el canal depende de varios factores, como la estructura cristalina del material semiconductor, la presencia de impurezas, la temperatura,
Componente horizontal del campo eléctrico en el canal - (Medido en voltios por metro) - La Componente Horizontal del Campo Eléctrico en el Canal es la fuerza del campo eléctrico que existe en el material debajo de la capa de óxido de la puerta, en la región donde se forma la capa de inversión.

(Cálculo completado en 00.004 segundos)