Calculadora Drenar la corriente que fluye a través del transistor MOS

✖El ancho del canal representa el ancho del canal conductor dentro de un MOSFET, lo que afecta directamente la cantidad de corriente que puede manejar.ⓘ Ancho de banda [W]			+10% -10%
✖La longitud del canal en un MOSFET es la distancia entre las regiones de fuente y drenaje, lo que determina la facilidad con la que fluye la corriente y afecta el rendimiento del transistor.ⓘ Longitud del canal [L]			+10% -10%
✖La movilidad electrónica en MOSFET describe la facilidad con la que los electrones pueden moverse a través del canal, impactando directamente el flujo de corriente para un voltaje determinado.ⓘ Movilidad electrónica [μ_n]			+10% -10%
✖La capacitancia de óxido se refiere a la capacitancia asociada con la capa de óxido aislante en una estructura semiconductora de óxido metálico (MOS), como en los MOSFET.ⓘ Capacitancia de óxido [C_ox]			+10% -10%
✖El voltaje de fuente de puerta es el voltaje aplicado entre la puerta y los terminales de fuente de un MOSFET.ⓘ Voltaje de fuente de puerta [V_GS]			+10% -10%
✖El voltaje umbral es el voltaje mínimo de puerta a fuente requerido en un MOSFET para "encenderlo" y permitir que fluya una corriente significativa.ⓘ Voltaje umbral [V_T]			+10% -10%
✖El voltaje de la fuente de drenaje es el voltaje aplicado entre el terminal de fuente y drenaje.ⓘ Voltaje de la fuente de drenaje [V_DS]			+10% -10%

✖La corriente de drenaje es la corriente que fluye desde el terminal de drenaje al terminal de fuente, controlada por el voltaje aplicado a la compuerta.ⓘ Drenar la corriente que fluye a través del transistor MOS [I_D]

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Fórmula

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Drenar la corriente que fluye a través del transistor MOS

Fórmula

I D = (\frac{W}{L}) \cdot μ n \cdot C ox \cdot \int ((V GS - x - V T), x, 0, V DS)

Ejemplo

1675.722 A = (\frac{2.678 m}{3.45 m}) \cdot 9.92 m²/V*s \cdot 3.9 F \cdot \int ((29.65 V - x - 5.91 V), x, 0, 45 V)

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Drenar la corriente que fluye a través del transistor MOS Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Corriente de drenaje = (Ancho de banda/Longitud del canal)*Movilidad electrónica*Capacitancia de óxido*int((Voltaje de fuente de puerta-x-Voltaje umbral),x,0,Voltaje de la fuente de drenaje)
I_D = (W/L)*μ_n*C_ox*int((V_GS-x-V_T),x,0,V_DS)
Esta fórmula usa 1 Funciones, 8 Variables

Funciones utilizadas

int - La integral definida se puede utilizar para calcular el área neta con signo, que es el área sobre el eje x menos el área debajo del eje x., int(expr, arg, from, to)

Variables utilizadas

Corriente de drenaje - (Medido en Amperio) - La corriente de drenaje es la corriente que fluye desde el terminal de drenaje al terminal de fuente, controlada por el voltaje aplicado a la compuerta.
Ancho de banda - (Medido en Metro) - El ancho del canal representa el ancho del canal conductor dentro de un MOSFET, lo que afecta directamente la cantidad de corriente que puede manejar.
Longitud del canal - (Medido en Metro) - La longitud del canal en un MOSFET es la distancia entre las regiones de fuente y drenaje, lo que determina la facilidad con la que fluye la corriente y afecta el rendimiento del transistor.
Movilidad electrónica - (Medido en Metro cuadrado por voltio por segundo) - La movilidad electrónica en MOSFET describe la facilidad con la que los electrones pueden moverse a través del canal, impactando directamente el flujo de corriente para un voltaje determinado.
Capacitancia de óxido - (Medido en Faradio) - La capacitancia de óxido se refiere a la capacitancia asociada con la capa de óxido aislante en una estructura semiconductora de óxido metálico (MOS), como en los MOSFET.
Voltaje de fuente de puerta - (Medido en Voltio) - El voltaje de fuente de puerta es el voltaje aplicado entre la puerta y los terminales de fuente de un MOSFET.
Voltaje umbral - (Medido en Voltio) - El voltaje umbral es el voltaje mínimo de puerta a fuente requerido en un MOSFET para "encenderlo" y permitir que fluya una corriente significativa.
Voltaje de la fuente de drenaje - (Medido en Voltio) - El voltaje de la fuente de drenaje es el voltaje aplicado entre el terminal de fuente y drenaje.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Ancho de banda: 2.678 Metro --> 2.678 Metro No se requiere conversión
Longitud del canal: 3.45 Metro --> 3.45 Metro No se requiere conversión
Movilidad electrónica: 9.92 Metro cuadrado por voltio por segundo --> 9.92 Metro cuadrado por voltio por segundo No se requiere conversión
Capacitancia de óxido: 3.9 Faradio --> 3.9 Faradio No se requiere conversión
Voltaje de fuente de puerta: 29.65 Voltio --> 29.65 Voltio No se requiere conversión
Voltaje umbral: 5.91 Voltio --> 5.91 Voltio No se requiere conversión
Voltaje de la fuente de drenaje: 45 Voltio --> 45 Voltio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

I_D = (W/L)*μ_n*C_ox*int((V_GS-x-V_T),x,0,V_DS) --> (2.678/3.45)*9.92*3.9*int((29.65-x-5.91),x,0,45)

Evaluar ... ...

I_D = 1675.72193947826

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

1675.72193947826 Amperio --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

1675.72193947826 ≈ 1675.722 Amperio <-- Corriente de drenaje

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Vignesh Naidu

Instituto de Tecnología de Vellore (VIT), Vellore, Tamil Nadu

¡Vignesh Naidu ha creado esta calculadora y 10+ más calculadoras!

Verificada por Dipanjona Mallick

Instituto Tecnológico del Patrimonio (hitk), Calcuta

¡Dipanjona Mallick ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

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Factor de equivalencia de voltaje de pared lateral

Vamos Factor de equivalencia de voltaje de pared lateral = -(2*sqrt(Potencial incorporado de uniones de paredes laterales)/(Voltaje final-Voltaje inicial)*(sqrt(Potencial incorporado de uniones de paredes laterales-Voltaje final)-sqrt(Potencial incorporado de uniones de paredes laterales-Voltaje inicial)))

Potencial de Fermi para el tipo P

Vamos Potencial de Fermi para el tipo P = ([BoltZ]*Temperatura absoluta)/[Charge-e]*ln(Concentración de portador intrínseco/Concentración de dopaje del aceptor)

Capacitancia equivalente de unión de señal grande

Vamos Capacitancia equivalente de unión de señal grande = Perímetro de la pared lateral*Capacitancia de unión de pared lateral*Factor de equivalencia de voltaje de pared lateral

Capacitancia de unión de pared lateral de polarización cero por unidad de longitud

Vamos Capacitancia de unión de pared lateral = Potencial de unión de pared lateral de polarización cero*Profundidad de la pared lateral

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