✖El ancho del canal representa el ancho del canal conductor dentro de un MOSFET, lo que afecta directamente la cantidad de corriente que puede manejar.ⓘ Ancho de banda [W] | | | +10% -10% |
✖La longitud del canal en un MOSFET es la distancia entre las regiones de fuente y drenaje, lo que determina la facilidad con la que fluye la corriente y afecta el rendimiento del transistor.ⓘ Longitud del canal [L] | | | +10% -10% |
✖La movilidad electrónica en MOSFET describe la facilidad con la que los electrones pueden moverse a través del canal, impactando directamente el flujo de corriente para un voltaje determinado.ⓘ Movilidad electrónica [μn] | | | +10% -10% |
✖La capacitancia de óxido se refiere a la capacitancia asociada con la capa de óxido aislante en una estructura semiconductora de óxido metálico (MOS), como en los MOSFET.ⓘ Capacitancia de óxido [Cox] | | | +10% -10% |
✖El voltaje de fuente de puerta es el voltaje aplicado entre la puerta y los terminales de fuente de un MOSFET.ⓘ Voltaje de fuente de puerta [VGS] | | | +10% -10% |
✖El voltaje umbral es el voltaje mínimo de puerta a fuente requerido en un MOSFET para "encenderlo" y permitir que fluya una corriente significativa.ⓘ Voltaje umbral [VT] | | | +10% -10% |
✖El voltaje de la fuente de drenaje es el voltaje aplicado entre el terminal de fuente y drenaje.ⓘ Voltaje de la fuente de drenaje [VDS] | | | +10% -10% |