✖La movilidad del electrón se define como la magnitud de la velocidad de deriva promedio por unidad de campo eléctrico.ⓘ Movilidad de electrones [μn] | | | +10% -10% |
✖La capacitancia de óxido de puerta es la capacidad de un componente o circuito para recolectar y almacenar energía en forma de carga eléctrica.ⓘ Capacitancia de óxido de puerta [Cox] | | | +10% -10% |
✖El ancho de la unión de puerta se define como el ancho de la unión de puerta en un dispositivo semiconductor.ⓘ Ancho de la unión de la puerta [Wgate] | | | +10% -10% |
✖La longitud de la puerta es simplemente la longitud física de la puerta. La longitud del canal es el camino que une los portadores de carga entre el drenaje y la fuente.ⓘ Longitud de la puerta [Lg] | | | +10% -10% |
✖El voltaje de fuente de puerta de un transistor es el voltaje que cae a través del terminal de fuente de puerta del transistor.ⓘ Voltaje de fuente de puerta [Vgs] | | | +10% -10% |
✖El voltaje de umbral del transistor es el voltaje mínimo de puerta a fuente que se necesita para crear una ruta conductora entre la fuente y los terminales de drenaje.ⓘ Voltaje de umbral [Vth] | | | +10% -10% |
✖El voltaje de saturación de la fuente de drenaje es la diferencia de voltaje entre el emisor y el terminal del colector requerido para encender un MOSFET.ⓘ Voltaje de saturación de la fuente de drenaje [Vds] | | | +10% -10% |