Calculadora Corriente de drenaje en la región triodo del transistor PMOS

Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*((Voltaje entre puerta y fuente-modulus(Voltaje de umbral))*Voltaje entre drenaje y fuente-1/2*(Voltaje entre drenaje y fuente)^2)
I_d = k'_p*WL*((V_GS-modulus(V_T))*V_DS-1/2*(V_DS)^2)
Esta fórmula usa 1 Funciones, 6 Variables
modulus - El módulo de un número es el resto cuando ese número se divide por otro número., modulusCorriente de drenaje - (Medido en Amperio) - La corriente de drenaje es la corriente eléctrica que fluye desde el drenaje hasta la fuente de un transistor de efecto de campo (FET) o un transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal (MOSFET).
Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS - (Medido en Siemens) - El parámetro de transconductancia de proceso en PMOS (PTM) es un parámetro utilizado en el modelado de dispositivos semiconductores para caracterizar el rendimiento de un transistor.
Relación de aspecto - La relación de aspecto se define como la relación entre el ancho del canal del transistor y su longitud. Es la relación entre el ancho de la puerta y la distancia entre la fuente
Voltaje entre puerta y fuente - (Medido en Voltio) - El voltaje entre la puerta y la fuente de un transistor de efecto de campo (FET) se conoce como voltaje puerta-fuente (VGS). Es un parámetro importante que afecta el funcionamiento del FET.
Voltaje de umbral - (Medido en Voltio) - El voltaje de umbral, también conocido como voltaje de umbral de puerta o simplemente Vth, es un parámetro crítico en el funcionamiento de los transistores de efecto de campo, que son componentes fundamentales en la electrónica moderna.
Voltaje entre drenaje y fuente - (Medido en Voltio) - El voltaje entre el drenaje y la fuente es un parámetro clave en el funcionamiento de un transistor de efecto de campo (FET) y, a menudo, se lo denomina "voltaje entre el drenaje y la fuente" o VDS.

(Cálculo completado en 00.004 segundos)