Calculadora Corriente de drenaje en la región de saturación del transistor PMOS

Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(Voltaje entre puerta y fuente-modulus(Voltaje de umbral))^2
I_ds = 1/2*k'_p*WL*(V_GS-modulus(V_T))^2
Esta fórmula usa 1 Funciones, 5 Variables
modulus - El módulo de un número es el resto cuando ese número se divide por otro número., modulusCorriente de drenaje de saturación - (Medido en Amperio) - La corriente de drenaje de saturación por debajo del voltaje de umbral se define como la corriente de subumbral y varía exponencialmente con el voltaje de puerta a fuente.
Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS - (Medido en Siemens) - El parámetro de transconductancia de proceso en PMOS (PTM) es un parámetro utilizado en el modelado de dispositivos semiconductores para caracterizar el rendimiento de un transistor.
Relación de aspecto - La relación de aspecto se define como la relación entre el ancho del canal del transistor y su longitud. Es la relación entre el ancho de la puerta y la distancia entre la fuente
Voltaje entre puerta y fuente - (Medido en Voltio) - El voltaje entre la puerta y la fuente de un transistor de efecto de campo (FET) se conoce como voltaje puerta-fuente (VGS). Es un parámetro importante que afecta el funcionamiento del FET.
Voltaje de umbral - (Medido en Voltio) - El voltaje de umbral, también conocido como voltaje de umbral de puerta o simplemente Vth, es un parámetro crítico en el funcionamiento de los transistores de efecto de campo, que son componentes fundamentales en la electrónica moderna.

(Cálculo completado en 00.004 segundos)