Calculadora Drenar Transconductancia y transconductancia del proceso dado actual

✖La transconductancia se define como la relación entre el cambio en la corriente de salida y el cambio en el voltaje de entrada, con el voltaje de puerta-fuente constante.ⓘ Transconductancia [g_m]			+10% -10%
✖La relación de aspecto se define como la relación entre el ancho del canal del transistor y su longitud. Es la relación entre el ancho de la puerta y la distancia entre la fuenteⓘ Relación de aspecto [WL]			+10% -10%
✖El parámetro de transconductancia de proceso (PTM) es un parámetro utilizado en el modelado de dispositivos semiconductores para caracterizar el rendimiento de un transistor.ⓘ Parámetro de transconductancia del proceso [k'_n]			+10% -10%

✖La corriente de drenaje es la corriente que fluye entre los terminales de drenaje y fuente de un transistor de efecto de campo (FET), que es un tipo de transistor comúnmente utilizado en circuitos electrónicos.ⓘ Drenar Transconductancia y transconductancia del proceso dado actual [i_d]

⎘ Copiar

👎

Fórmula

✖

Drenar Transconductancia y transconductancia del proceso dado actual

Fórmula

i d = \frac{{g m}^{2}}{2 \cdot WL \cdot k' n}

Ejemplo

0.083333 mA = \frac{{0.5 mS}^{2}}{2 \cdot 0.1 \cdot 0.015 A/V²}

Calculadora

LaTeX

Reiniciar

👍

Descargar MOSFET Fórmula PDF PDF Image

Drenar Transconductancia y transconductancia del proceso dado actual Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Corriente de drenaje = Transconductancia^2/(2*Relación de aspecto*Parámetro de transconductancia del proceso)
i_d = g_m^2/(2*WL*k'_n)
Esta fórmula usa 4 Variables

Variables utilizadas

Corriente de drenaje - (Medido en Amperio) - La corriente de drenaje es la corriente que fluye entre los terminales de drenaje y fuente de un transistor de efecto de campo (FET), que es un tipo de transistor comúnmente utilizado en circuitos electrónicos.
Transconductancia - (Medido en Siemens) - La transconductancia se define como la relación entre el cambio en la corriente de salida y el cambio en el voltaje de entrada, con el voltaje de puerta-fuente constante.
Relación de aspecto - La relación de aspecto se define como la relación entre el ancho del canal del transistor y su longitud. Es la relación entre el ancho de la puerta y la distancia entre la fuente
Parámetro de transconductancia del proceso - (Medido en Amperio por voltio cuadrado) - El parámetro de transconductancia de proceso (PTM) es un parámetro utilizado en el modelado de dispositivos semiconductores para caracterizar el rendimiento de un transistor.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Transconductancia: 0.5 milisiemens --> 0.0005 Siemens (Verifique la conversión aquí)
Relación de aspecto: 0.1 --> No se requiere conversión
Parámetro de transconductancia del proceso: 0.015 Amperio por voltio cuadrado --> 0.015 Amperio por voltio cuadrado No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

i_d = g_m^2/(2*WL*k'_n) --> 0.0005^2/(2*0.1*0.015)

Evaluar ... ...

i_d = 8.33333333333333E-05

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

8.33333333333333E-05 Amperio -->0.0833333333333333 Miliamperio (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

0.0833333333333333 ≈ 0.083333 Miliamperio <-- Corriente de drenaje

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Aquí estás -

Inicio » Ingenieria » Electrónica » MOSFET » Electrónica analógica » Transconductancia » Drenar Transconductancia y transconductancia del proceso dado actual

Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Anshika Arya

Instituto Nacional de Tecnología (LIENDRE), Hamirpur

¡Anshika Arya ha verificado esta calculadora y 2500+ más calculadoras!

< Transconductancia Calculadoras

Transconductancia dada Proceso Parámetro de transconductancia

Vamos Transconductancia = Parámetro de transconductancia del proceso*Relación de aspecto*(Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral)

Transconductancia dada corriente de drenaje

Vamos Transconductancia = sqrt(2*Parámetro de transconductancia del proceso*Relación de aspecto*Corriente de drenaje)

Transconductancia utilizando el parámetro de transconductancia del proceso y el voltaje de sobremarcha

Vamos Transconductancia = Parámetro de transconductancia del proceso*Relación de aspecto*Voltaje de sobremarcha

Drenar corriente usando transconductancia

Vamos Corriente de drenaje = (Voltaje de sobremarcha)*Transconductancia/2

Drenar Transconductancia y transconductancia del proceso dado actual Fórmula

Corriente de drenaje = Transconductancia^2/(2*Relación de aspecto*Parámetro de transconductancia del proceso)
i_d = g_m^2/(2*WL*k'_n)

¿Cuál es el uso de la transconductancia en MOSFET?

La transconductancia es una expresión del rendimiento de un transistor bipolar o transistor de efecto de campo (FET). En general, cuanto mayor es la cifra de transconductancia de un dispositivo, mayor es la ganancia (amplificación) que es capaz de entregar, cuando todos los demás factores se mantienen constantes.

Inicio

GRATIS PDF

🔍 Búsqueda

Categorías

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!