Calculadora Parámetro de dispositivo dado de corriente de drenaje

✖La transconductancia es la relación entre el cambio de corriente en el terminal de salida y el cambio en el voltaje en el terminal de entrada de un dispositivo activo.ⓘ Transconductancia [G_m]			+10% -10%
✖La relación de aspecto es la relación entre el ancho del canal y la longitud del canal.ⓘ Relación de aspecto [WL]			+10% -10%
✖El voltaje efectivo o voltaje de sobremarcha es el exceso de voltaje a través del óxido sobre el voltaje térmico.ⓘ Voltaje efectivo [V_ov]			+10% -10%
✖El voltaje de umbral del transistor es el voltaje mínimo de puerta a fuente que se necesita para crear una ruta conductora entre la fuente y los terminales de drenaje.ⓘ Voltaje de umbral [V_th]			+10% -10%
✖El parámetro del dispositivo es el parámetro utilizado en el cálculo relacionado con BJT.ⓘ Parámetro del dispositivo [V_A]			+10% -10%
✖El voltaje entre drenaje y fuente es voltaje positivo aplicado entre drenaje y fuente, habiendo inducido un canal.ⓘ Voltaje entre drenaje y fuente [V_DS]			+10% -10%

✖La corriente de drenaje por debajo del voltaje de umbral se define como la corriente de subumbral y varía exponencialmente con el voltaje de puerta a fuente.ⓘ Parámetro de dispositivo dado de corriente de drenaje [I_d]

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Parámetro de dispositivo dado de corriente de drenaje Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Corriente de drenaje = 1/2*Transconductancia*Relación de aspecto*(Voltaje efectivo-Voltaje de umbral)^2*(1+Parámetro del dispositivo*Voltaje entre drenaje y fuente)
I_d = 1/2*G_m*WL*(V_ov-V_th)^2*(1+V_A*V_DS)
Esta fórmula usa 7 Variables

Variables utilizadas

Corriente de drenaje - (Medido en Amperio) - La corriente de drenaje por debajo del voltaje de umbral se define como la corriente de subumbral y varía exponencialmente con el voltaje de puerta a fuente.
Transconductancia - (Medido en Siemens) - La transconductancia es la relación entre el cambio de corriente en el terminal de salida y el cambio en el voltaje en el terminal de entrada de un dispositivo activo.
Relación de aspecto - La relación de aspecto es la relación entre el ancho del canal y la longitud del canal.
Voltaje efectivo - (Medido en Voltio) - El voltaje efectivo o voltaje de sobremarcha es el exceso de voltaje a través del óxido sobre el voltaje térmico.
Voltaje de umbral - (Medido en Voltio) - El voltaje de umbral del transistor es el voltaje mínimo de puerta a fuente que se necesita para crear una ruta conductora entre la fuente y los terminales de drenaje.
Parámetro del dispositivo - El parámetro del dispositivo es el parámetro utilizado en el cálculo relacionado con BJT.
Voltaje entre drenaje y fuente - (Medido en Voltio) - El voltaje entre drenaje y fuente es voltaje positivo aplicado entre drenaje y fuente, habiendo inducido un canal.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Transconductancia: 1.72 milisiemens --> 0.00172 Siemens (Verifique la conversión aquí)
Relación de aspecto: 8.75 --> No se requiere conversión
Voltaje efectivo: 25 Voltio --> 25 Voltio No se requiere conversión
Voltaje de umbral: 5.5 Voltio --> 5.5 Voltio No se requiere conversión
Parámetro del dispositivo: 0.024 --> No se requiere conversión
Voltaje entre drenaje y fuente: 7.35 Voltio --> 7.35 Voltio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

I_d = 1/2*G_m*WL*(V_ov-V_th)^2*(1+V_A*V_DS) --> 1/2*0.00172*8.75*(25-5.5)^2*(1+0.024*7.35)

Evaluar ... ...

I_d = 3.3661289025

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

3.3661289025 Amperio -->3366.1289025 Miliamperio (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

3366.1289025 ≈ 3366.129 Miliamperio <-- Corriente de drenaje

(Cálculo completado en 00.020 segundos)

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Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

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Corriente base utilizando corriente de saturación en CC

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LaTeX Vamos corriente básica = (Corriente de saturación/Ganancia de corriente de emisor común)*(e^(Voltaje base-emisor/Voltaje Térmico))

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¿Qué es la corriente de drenaje en MOSFET?

La corriente de drenaje por debajo del voltaje umbral se define como la corriente subumbral y varía exponencialmente con Vgs. El recíproco de la pendiente del registro (Ids) frente a la característica Vgs se define como la pendiente subumbral, S, y es una de las métricas de rendimiento más críticas para los MOSFET en aplicaciones lógicas.

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