Calculadora Parámetro de dispositivo dado de corriente de drenaje

✖La transconductancia es la relación entre el cambio de corriente en el terminal de salida y el cambio en el voltaje en el terminal de entrada de un dispositivo activo.ⓘ Transconductancia [G_m]			+10% -10%
✖La relación de aspecto es la relación entre el ancho del canal y la longitud del canal.ⓘ Relación de aspecto [WL]			+10% -10%
✖El voltaje efectivo o voltaje de sobremarcha es el exceso de voltaje a través del óxido sobre el voltaje térmico.ⓘ Voltaje efectivo [V_ov]			+10% -10%
✖El voltaje de umbral del transistor es el voltaje mínimo de puerta a fuente que se necesita para crear una ruta conductora entre la fuente y los terminales de drenaje.ⓘ Voltaje de umbral [V_th]			+10% -10%
✖El parámetro del dispositivo es el parámetro utilizado en el cálculo relacionado con BJT.ⓘ Parámetro del dispositivo [V_A]			+10% -10%
✖El voltaje entre drenaje y fuente es voltaje positivo aplicado entre drenaje y fuente, habiendo inducido un canal.ⓘ Voltaje entre drenaje y fuente [V_DS]			+10% -10%

✖La corriente de drenaje por debajo del voltaje de umbral se define como la corriente de subumbral y varía exponencialmente con el voltaje de puerta a fuente.ⓘ Parámetro de dispositivo dado de corriente de drenaje [I_d]

⎘ Copiar

👎

Fórmula

LaTeX

Reiniciar

👍

Descargar BJT Fórmula PDF PDF Image

Parámetro de dispositivo dado de corriente de drenaje Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Corriente de drenaje = 1/2*Transconductancia*Relación de aspecto*(Voltaje efectivo-Voltaje de umbral)^2*(1+Parámetro del dispositivo*Voltaje entre drenaje y fuente)
I_d = 1/2*G_m*WL*(V_ov-V_th)^2*(1+V_A*V_DS)
Esta fórmula usa 7 Variables

Variables utilizadas

Corriente de drenaje - (Medido en Amperio) - La corriente de drenaje por debajo del voltaje de umbral se define como la corriente de subumbral y varía exponencialmente con el voltaje de puerta a fuente.
Transconductancia - (Medido en Siemens) - La transconductancia es la relación entre el cambio de corriente en el terminal de salida y el cambio en el voltaje en el terminal de entrada de un dispositivo activo.
Relación de aspecto - La relación de aspecto es la relación entre el ancho del canal y la longitud del canal.
Voltaje efectivo - (Medido en Voltio) - El voltaje efectivo o voltaje de sobremarcha es el exceso de voltaje a través del óxido sobre el voltaje térmico.
Voltaje de umbral - (Medido en Voltio) - El voltaje de umbral del transistor es el voltaje mínimo de puerta a fuente que se necesita para crear una ruta conductora entre la fuente y los terminales de drenaje.
Parámetro del dispositivo - El parámetro del dispositivo es el parámetro utilizado en el cálculo relacionado con BJT.
Voltaje entre drenaje y fuente - (Medido en Voltio) - El voltaje entre drenaje y fuente es voltaje positivo aplicado entre drenaje y fuente, habiendo inducido un canal.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Transconductancia: 1.72 milisiemens --> 0.00172 Siemens (Verifique la conversión aquí)
Relación de aspecto: 8.75 --> No se requiere conversión
Voltaje efectivo: 25 Voltio --> 25 Voltio No se requiere conversión
Voltaje de umbral: 5.5 Voltio --> 5.5 Voltio No se requiere conversión
Parámetro del dispositivo: 0.024 --> No se requiere conversión
Voltaje entre drenaje y fuente: 7.35 Voltio --> 7.35 Voltio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

I_d = 1/2*G_m*WL*(V_ov-V_th)^2*(1+V_A*V_DS) --> 1/2*0.00172*8.75*(25-5.5)^2*(1+0.024*7.35)

Evaluar ... ...

I_d = 3.3661289025

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

3.3661289025 Amperio -->3366.1289025 Miliamperio (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

3366.1289025 ≈ 3366.129 Miliamperio <-- Corriente de drenaje

(Cálculo completado en 00.007 segundos)

Aquí estás -

Inicio » Ingenieria » Electrónica » BJT » Electrónica analógica » Actual » corriente básica » Parámetro de dispositivo dado de corriente de drenaje

Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< corriente básica Calculadoras

Corriente base utilizando corriente de saturación en CC

LaTeX Vamos corriente básica = (Corriente de saturación/Ganancia de corriente de emisor común)*e^(Voltaje base-colector/Voltaje Térmico)+Presión de vapor de saturación*e^(Voltaje base-colector/Voltaje Térmico)

Parámetro de dispositivo dado de corriente de drenaje

LaTeX Vamos Corriente de drenaje = 1/2*Transconductancia*Relación de aspecto*(Voltaje efectivo-Voltaje de umbral)^2*(1+Parámetro del dispositivo*Voltaje entre drenaje y fuente)

Corriente base 2 de BJT

LaTeX Vamos corriente básica = (Corriente de saturación/Ganancia de corriente de emisor común)*(e^(Voltaje base-emisor/Voltaje Térmico))

Corriente base 1 de BJT

LaTeX Vamos corriente básica = Colector de corriente/Ganancia de corriente de emisor común

Parámetro de dispositivo dado de corriente de drenaje Fórmula

LaTeX Vamos

¿Qué es la corriente de drenaje en MOSFET?

La corriente de drenaje por debajo del voltaje umbral se define como la corriente subumbral y varía exponencialmente con Vgs. El recíproco de la pendiente del registro (Ids) frente a la característica Vgs se define como la pendiente subumbral, S, y es una de las métricas de rendimiento más críticas para los MOSFET en aplicaciones lógicas.

Inicio

GRATIS PDF

🔍 Búsqueda

Categorías

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!