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Calculadora Concentración de donantes después de VLSI a plena escala

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Optimización de materiales VLSI Diseño VLSI analógico

✖La concentración de donante se refiere a la concentración de átomos dopantes donantes introducidos en un material semiconductor para aumentar el número de electrones libres.ⓘ Concentración de donantes [N_D]			+10% -10%
✖El factor de escala se define como la relación por la cual las dimensiones del transistor cambian durante el proceso de diseño.ⓘ Factor de escala [Sf]			+10% -10%

✖La concentración de donantes después de la escala completa podría implicar una consideración de cómo la concentración de impurezas de los donantes se ve afectada por la reducción de las dimensiones del transistor.ⓘ Concentración de donantes después de VLSI a plena escala [N_D']

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Concentración de donantes después de VLSI a plena escala

Fórmula

N D' = N D \cdot Sf

Ejemplo

1.5E+17 /cm³ = 1e+17 /cm³ \cdot 1.5

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Concentración de donantes después de VLSI a plena escala Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Concentración de donantes después de la ampliación total = Concentración de donantes*Factor de escala
N_D' = N_D*Sf
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

Concentración de donantes después de la ampliación total - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de donantes después de la escala completa podría implicar una consideración de cómo la concentración de impurezas de los donantes se ve afectada por la reducción de las dimensiones del transistor.
Concentración de donantes - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de donante se refiere a la concentración de átomos dopantes donantes introducidos en un material semiconductor para aumentar el número de electrones libres.
Factor de escala - El factor de escala se define como la relación por la cual las dimensiones del transistor cambian durante el proceso de diseño.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Concentración de donantes: 1E+17 1 por centímetro cúbico --> 1E+23 1 por metro cúbico (Verifique la conversión aquí)
Factor de escala: 1.5 --> No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

N_D' = N_D*Sf --> 1E+23*1.5

Evaluar ... ...

N_D' = 1.5E+23

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

1.5E+23 1 por metro cúbico -->1.5E+17 1 por centímetro cúbico (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

1.5E+17 1 por centímetro cúbico <-- Concentración de donantes después de la ampliación total

(Cálculo completado en 00.020 segundos)

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Créditos

Creado por Priyanka Patel

Facultad de ingeniería Lalbhai Dalpatbhai (LDCE), Ahmedabad

¡Priyanka Patel ha creado esta calculadora y 25+ más calculadoras!

Verificada por Santhosh Yadav

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), banglore

¡Santhosh Yadav ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

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Coeficiente de efecto corporal

Vamos Coeficiente de efecto corporal = modulus((Voltaje umbral-Tensión umbral DIBL)/(sqrt(Potencial de superficie+(Diferencia de potencial del cuerpo fuente))-sqrt(Potencial de superficie)))

Coeficiente DIBL

Vamos Coeficiente DIBL = (Tensión umbral DIBL-Voltaje umbral)/Drenar a la fuente potencial

Carga de canal

Vamos Cargo del canal = Capacitancia de puerta*(Voltaje de puerta a canal-Voltaje umbral)

Voltaje crítico

Vamos Voltaje crítico = Campo eléctrico crítico*Campo eléctrico a lo largo del canal

Concentración de donantes después de VLSI a plena escala Fórmula

Concentración de donantes después de la ampliación total = Concentración de donantes*Factor de escala
N_D' = N_D*Sf

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