Troquel por oblea Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Troquel por oblea = (pi*Diámetro de la oblea^2)/(4*Tamaño de cada troquel)
DPW = (pi*dw^2)/(4*Sd)
Esta fórmula usa 1 Constantes, 3 Variables
Constantes utilizadas
pi - La constante de Arquímedes. Valor tomado como 3.14159265358979323846264338327950288
Variables utilizadas
Troquel por oblea - Troquel por oblea significa la cantidad de troqueles que se pueden fabricar a partir de una sola oblea.
Diámetro de la oblea - (Medido en Metro) - El diámetro de la oblea se refiere al tamaño de las obleas de silicio utilizadas en el proceso de fabricación de semiconductores. Estas obleas sirven como material base sobre el que se basan los dispositivos semiconductores.
Tamaño de cada troquel - (Medido en Metro cuadrado) - El tamaño de cada matriz se refiere a las dimensiones físicas de un chip semiconductor o circuito integrado (IC) individual tal como se fabrica en una oblea de silicio.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Diámetro de la oblea: 150 Milímetro --> 0.15 Metro (Verifique la conversión ​aquí)
Tamaño de cada troquel: 22 Milímetro cuadrado --> 2.2E-05 Metro cuadrado (Verifique la conversión ​aquí)
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
DPW = (pi*dw^2)/(4*Sd) --> (pi*0.15^2)/(4*2.2E-05)
Evaluar ... ...
DPW = 803.248121656481
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
803.248121656481 --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
803.248121656481 803.2481 <-- Troquel por oblea
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por banuprakash
Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore
¡banuprakash ha creado esta calculadora y 50+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por Santhosh Yadav
Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), banglore
¡Santhosh Yadav ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

Fabricación de circuitos integrados MOS Calculadoras

Efecto corporal en MOSFET
​ LaTeX ​ Vamos Voltaje umbral con sustrato = Voltaje umbral con polarización corporal cero+Parámetro de efecto corporal*(sqrt(2*Potencial de Fermi a granel+Voltaje aplicado al cuerpo)-sqrt(2*Potencial de Fermi a granel))
Corriente de drenaje de MOSFET en la región de saturación
​ LaTeX ​ Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia/2*(Voltaje de fuente de puerta-Voltaje umbral con polarización corporal cero)^2*(1+Factor de modulación de longitud del canal*Voltaje de la fuente de drenaje)
Frecuencia de ganancia unitaria MOSFET
​ LaTeX ​ Vamos Frecuencia de ganancia unitaria en MOSFET = Transconductancia en MOSFET/(Capacitancia de la fuente de puerta+Capacitancia de drenaje de compuerta)
Resistencia del canal
​ LaTeX ​ Vamos Resistencia del canal = Longitud del transistor/Ancho del transistor*1/(Movilidad electrónica*Densidad del portador)

Troquel por oblea Fórmula

​LaTeX ​Vamos
Troquel por oblea = (pi*Diámetro de la oblea^2)/(4*Tamaño de cada troquel)
DPW = (pi*dw^2)/(4*Sd)
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