Calculadora Profundidad de agotamiento Región asociada con la fuente

Región de profundidad de agotamiento de la fuente = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Potencial de unión incorporado)/([Charge-e]*Concentración de dopaje del aceptor))
x_dS = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Φ_o)/([Charge-e]*N_A))
Esta fórmula usa 2 Constantes, 1 Funciones, 3 Variables
[Permitivity-silicon] - Permitividad del silicio Valor tomado como 11.7
[Charge-e] - carga de electrones Valor tomado como 1.60217662E-19sqrt - Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)Región de profundidad de agotamiento de la fuente - (Medido en Metro) - La región de profundidad de agotamiento de la fuente es la región de agotamiento que se forma cerca del terminal de la fuente cuando se aplica un voltaje al terminal de la puerta.
Potencial de unión incorporado - (Medido en Voltio) - El potencial de unión incorporado se refiere a la diferencia de potencial o voltaje que existe a través de una unión semiconductora cuando no está conectada a una fuente de voltaje externa.
Concentración de dopaje del aceptor - (Medido en Electrones por metro cúbico) - La concentración de dopaje del aceptor se refiere a la concentración de átomos aceptores agregados intencionalmente a un material semiconductor.

(Cálculo completado en 00.004 segundos)