Ancho de la región de agotamiento Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Ancho de la región de agotamiento = Longitud de unión PN-Longitud efectiva del canal
Ld = Lpn-Leff
Esta fórmula usa 3 Variables
Variables utilizadas
Ancho de la región de agotamiento - (Medido en Metro) - El ancho de la región de agotamiento en un diodo de Si típico varía desde una fracción de micrómetro hasta decenas de micrómetros, según la geometría del dispositivo, el perfil de dopaje y la polarización externa.
Longitud de unión PN - (Medido en Metro) - La longitud de la unión PN se define como la longitud total de la unión desde el lado p al lado n en un semiconductor.
Longitud efectiva del canal - (Medido en Metro) - La longitud efectiva del canal se define como el camino que une los portadores de carga entre el drenaje y la fuente.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Longitud de unión PN: 19 Milímetro --> 0.019 Metro (Verifique la conversión ​aquí)
Longitud efectiva del canal: 8 Milímetro --> 0.008 Metro (Verifique la conversión ​aquí)
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Ld = Lpn-Leff --> 0.019-0.008
Evaluar ... ...
Ld = 0.011
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
0.011 Metro -->11 Milímetro (Verifique la conversión ​aquí)
RESPUESTA FINAL
11 Milímetro <-- Ancho de la región de agotamiento
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Shobhit Dimri
Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por Urvi Rathod
Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

Características del circuito CMOS Calculadoras

Ancho de difusión de la fuente
​ LaTeX ​ Vamos Ancho de transición = Área de difusión de fuentes/Longitud de la fuente
Área de difusión de fuentes
​ LaTeX ​ Vamos Área de difusión de fuentes = Longitud de la fuente*Ancho de transición
CMOS significa ruta libre
​ LaTeX ​ Vamos Camino libre medio = Voltaje crítico en CMOS/Campo eléctrico crítico
Voltaje crítico CMOS
​ LaTeX ​ Vamos Voltaje crítico en CMOS = Campo eléctrico crítico*Camino libre medio

Ancho de la región de agotamiento Fórmula

​LaTeX ​Vamos
Ancho de la región de agotamiento = Longitud de unión PN-Longitud efectiva del canal
Ld = Lpn-Leff

¿Cuál es la importancia de la modulación de la longitud del canal?

La modulación de longitud de canal (CLM) es una técnica utilizada en sistemas de comunicación digitales para ajustar la longitud de un canal de comunicación para adaptarse a la velocidad de bits de la señal que se transmite. CLM puede ayudar a mejorar la relación señal-ruido y aumentar la velocidad de transmisión de datos, lo que lo convierte en un aspecto crucial de la comunicación digital.

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