✖La movilidad de los agujeros en el canal depende de varios factores, como la estructura cristalina del material semiconductor, la presencia de impurezas, la temperatura,ⓘ Movilidad de agujeros en canal [μp] | | | +10% -10% |
✖La Componente Horizontal del Campo Eléctrico en el Canal es la fuerza del campo eléctrico que existe en el material debajo de la capa de óxido de la puerta, en la región donde se forma la capa de inversión.ⓘ Componente horizontal del campo eléctrico en el canal [Ey] | | | +10% -10% |